Molecular Beam Epitaxy
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1. Crescimento e caracterização de nanofios auto-sustentados de ligas ternárias de InGaAs
Nanofios de ligas ternárias de Arseneto de Gálio e Índio (InxGa1-xAs) são excelentes candidatos para aplicações tecnoógicas em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, mas existem uns poucos estudos experimentais sobre seu crescimento que permitam obter um controle e conhecimento significativo das suas propriedades óticas e elétricas. Este trab
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/03/2012
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2. Construção e caracterização de célula solar tipo barreira Schottky CdTe/Al / Construction and caracterization of Schottky barrier solar cells CdTe/Al
In this work the techniques of hot wall epitaxy (HWE) and molecular beam epitaxy (MBE) on thin films of CdTe (cadmium telluride) were used in order to manufacture a prototype solar cell type Schottky barrier. The films were produced by evaporation of a solid alloy of CdTe, varying two parameters of deposition: the growth time and substrate temperature. In th
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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3. Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescência
Semiconductor structures with high confinement degree, such as quantum wells, quantum wires and quantum dots, have been of great interest, both from the technological point of view and for basic research. Self-Assembled Quantum Dots (SAQD`s) appear spontaneously, as a consequence of the lattice mismatch of the material deposited in relation to the substrate,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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4. Crescimento de nanofios auto-sustentados de arseneto de índio por epitaxia por feixes moleculares
This Thesis reports the experimental and theoretical works related to the growth and characterization of free-standing gallium indium arsenide nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The growth mechanisms of free-standing nanowires remain barely known and explored in its fundamental aspects. The theoretical models of the formation of free-standing n
Publicado em: 2010
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5. Fotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs
Neste trabalho estudamos pontos quânticos QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well). Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da té
Publicado em: 2010
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6. Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system
A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de
Publicado em: 2009
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7. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
The first part of the work dealt with the application of lithographical techniques to fabricate Hall geometry of IV-VI films grown on (111) BaF_2 substrates. A previous study of In diffusion in PbTe films confirmed the viability of using In as a metallic contact. During the lithographic process, some solutions were implemented to resolve the problems generat
Publicado em: 2009
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8. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
A primeira parte do trabalho consistiu na implementação de técnicas de litografia para a fabricação da geometria Hall em filmes IV-VI crescidos sobre substratos de BaF_2 (111). Um estudo prévio da difusão do In em filmes de PbTe mostrou a viabilidade da utilização do In como contato metálico. Na realização dos processos litográficos, várias sol
Publicado em: 2009
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9. Multicamadas magnéticas de telureto de európio e semicondutores iv-vi crescidas por epitaxia de feixe molecular / Magnetic multilayers of europium telluride and IV-VI semiconductors grown by molecular beam epitaxy
In this work, thin EuTe films and EuTe/PbTe(SnTe) superlattices were grown, and their structural and magnetic properties were characterized. The molecular beam epitaxial growth parameters of the samples were optimized, particularly those of the EuTe/SnTe SLs. To this goal, the growth modes of EuTe on SnTe and vice versa were investigated, and the influence o
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/10/2008
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10. Controle de caos em amostras semi-isolantes de arseneto de gálio
Low frequency current oscillations have been usually investigated under the influence of the external applied bias, the temperature and the illumination. A parallel applied magnetic field has been used in the present work in order to obtain odd periodic windows and bifurcations inside them in a two dimension parameter space in a semi-insulating GaAs grown by
Publicado em: 2008
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11. Three-band quantum well infrared photodetector using interband and intersubband transitions.
This thesis presents the modeling, design, fabrication and characterization of a quantum well infrared photodetector (QWIP) capable of detecting near infrared (NIR), mid wavelength infrared (MWIR) and long wavelength infrared (LWIR), simultaneously. The NIR detection was achieved using interband transition while MWIR and LWIR were based on intersubband trans
Publicado em: 2008
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12. Multicamadas magnéticas de telureto de európio e semicondutores iv-vi crescidas por epitaxia de feixe molecular / Magnetic multilayers of europium telluride and IV-VI semiconductors grown by molecular beam epitaxy
Neste trabalho foram crescidos e investigados, dos pontos de vista estrutural e magnético, filmes finos de EuTe e superredes (SL) de EuTe/PbTe e de EuTe/SnTe. A primeira etapa do trabalho consistiu na otimização dos parâmetros de crescimento por epitaxia de feixe molecular das amostras, em particular das SLs de EuTe/SnTe. Para isto, foram investigados os
Publicado em: 2008