Molecular Beam Epitaxy
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13. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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14. Temperature-dependent photoluminescence spectra of GaAsSb/AlGaAs and GaAsSbN/GaAs single quantum wells under different excitation intensities
The mechanism for low-temperature photoluminescence (PL) emissions in GaAsSb/AlGaAs and GaAsSbN/GaAs strained-layer single quantum wells (SQWs), grown by molecular-beam epitaxy, is studied in detail, using PL spectroscopy as a function of temperature and excitation intensity. In all samples, the PL peak energy as well as the full width at half maximum (FWHM)
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2007-12
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15. Construção de um sistema de epitaxia por feixe molecular / Building of a molecular beam epitaxy system
O crescimento epitaxial de nanoestruturas semicondutoras e metálicas é algo de grande interesse atualmente em ciência e tecnologia devido às propriedades singulares apresentadas pela matéria na escala nanométrica. Esta dissertação teve como objetivo principal a construção de um sistema de crescimento epitaxial baseado na técnica de epitaxia por fe
Publicado em: 2007
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16. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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17. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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18. Caracterização Ótica de Poços Quânticos de GaMnAs
Neste trabalho realizamos a caracterização ótica de hetero-estruturas semicondutoras baseadas em semicondutores magnéticos diluídos (Diluted Magnetic Semiconductor-DMS). Em particular, estudamos poços quânticos (QW) de GaAs/AlAs/Ga1-xMnxAs, com baixa concentração de Mn ( 0≤x≤0,2) crescidas em alta temperatura (450C) pela técnica de BEM
Publicado em: 2007
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19. Propriedades Magneto-Ópticas do Pb(x)Eu(1-X)Te COM 0 ≤ x ≤ 0.2 / MAGNETO-OPTICAL PROPERTIES OF Pb(x)Eu(1-X)Te WITH 0 ≤ x ≤ 0.2
The optical properties of epitaxial samples of PbxEu1-xTe with 0 ≤ x ≤ 0.2 have been investigated by photoluminescence measurements at various temperatures and magnetic fields and through transmittance and reflectance measurements at room temperature. The samples were grown by molecular beam epitaxy in a Riber 32p MBE system at LAS-INPE o
Publicado em: 2007
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20. CRESCIMENTO, ESTRUTURA E POLARIZAÇÃO DE TROCA EM BICAMADAS FERROMAGNETO / ANTIFERROMAGNETO PREPARADAS POR DEPOSIÇÃO EM CONDIÇÕES DE EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR: Fe / EuTe(111), Fe / Ni50Mn50(001) e Ni1-xFex / Fe50Mn50
Magnetic interaction at interfaces between different layered magnetic materials is an important current topic in physics and materials science, particularly when combining ferromagnetic metals and semiconductors. The exchange bias effect associated with the exchange coupling between antiferromagnetic (AFM) and ferromagnetic (FM) systems, has been extensively
Publicado em: 2007
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21. Alloying in GeSi:Si (001) epitaxial nanocrystals / Formação de ligas em nanocristais epitaxiais de GeSi:Si (001)
The structural and electronic properties of nanoscale materials strongly depend on the chemical composition, as well as their size and shape. A big variety of morphologies can be achieved by controlling the experimental conditions during the epitaxial growth of Ge on a Si(001) substrate. In particular, three-dimensional islands with well defined size and sha
Publicado em: 2007
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22. Propriedades Magneto-Ópticas do Pb(x)Eu(1-X)Te COM 0 ≤ x ≤ 0.2 / MAGNETO-OPTICAL PROPERTIES OF Pb(x)Eu(1-X)Te WITH 0 ≤ x ≤ 0.2
Amostras epitaxiais de PbxEu1-xTe com 0 ≤ x ≤ 0.2 foram investigadas através de medidas de fotoluminescência a diferentes temperaturas e campos magnéticos e de medidas de refletância e de transmitância à temperatura ambiente. As amostras foram crescidas no sistema MBE Riber 32p do LASINPE sobre substratos de BaF2 (111). Medidas de R
Publicado em: 2007
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23. Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe crescidas por epitaxia de feixe molecular / PbTe/PbEuTe double barrier structures grown by molecular beam epitaxy
Este trabalho apresenta o crescimento por epitaxia de feixe molecular de estruturas de barreira dupla (BD) de PbTe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te e o processamento do dispositivo, visando à medida de tunelamento ressonante. As amostras foram crescidas sobre substratos de BaF$_{2}$ (111) à temperatura de 300$°$C. Medidas de resistividade e efeito Hall foram realizad
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/04/2006
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24. Optical and electrical properties of Te doped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors on InP
We present a comparative study carried out on the optical and electrical characteristics of undoped and Te doped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors with 6.5 pairs of layers and bulk undoped and Te doped AlGaAsSb epilayers alloys lattice matched on InP, grown by molecular beam epitaxy, using SIMS, photoluminescence, reflectivity and IxV techniques. The temperature
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-12