Crescimento e caracterização de nanofios auto-sustentados de ligas ternárias de InGaAs

AUTOR(ES)
FONTE

IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia

DATA DE PUBLICAÇÃO

01/03/2012

RESUMO

Nanofios de ligas ternárias de Arseneto de Gálio e Índio (InxGa1-xAs) são excelentes candidatos para aplicações tecnoógicas em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, mas existem uns poucos estudos experimentais sobre seu crescimento que permitam obter um controle e conhecimento significativo das suas propriedades óticas e elétricas. Este trabalho apresenta os resultados experimentais e teóricos obtidos de estudos do crescimento de nanoestruturas unidimensionais autossustentadas (nanofios) de ligas ternárias de InxGa1-xAs. Os nanofios foram crescidos pela técnica de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE - "Molecular Beam Epitaxy") sobre substratos de GaAs(111)B e InAs(111)B utilizando nanopartículascoloidais de ouro (Au) como catalizadores. Quatro séries de amostras de nanofios das ligas ternárias de InxGa1-xAs com diferentes frações molares de InAs oram crescidas e caracterizadas neste trabalho. A morfologia, composição química e estrutura cristalina dos nanofios foram caracterizadas utilizando as técnicas de Microscopia Eletrônica de Varredura (SEM) e espectroscopia Raman. Utilizando SEM foi possível analisar a dependência da taxa de crescimento dos nanofios com as variações do seu diâmetro e com isso compreender os mecanismos de crescimento dos nanofios. As medidas de espectroscopia Raman permitiram analisar a composição química de cada uma das amostras, assim como deformações na estrutura cristalina dos nanofios. A comparação da composição química das diferentes amostras permitiu aprofundar nos mecanismos de crescimentos dos nanofios em diferentes substratos e com respeito a filmes finos crescidos nas mesmas condições.

ASSUNTO(S)

física teses.

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