Fotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs
AUTOR(ES)
Leonardo Dias de Souza
DATA DE PUBLICAÇÃO
2010
RESUMO
Neste trabalho estudamos pontos quânticos QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well). Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da técnica de Epitaxia por Feixe Molecular MBE (Molecular Beam Epitaxy), sendo três delas crescidas sobre o GaAs e duas crescidas no interior do poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs. As amostras foram crescidas através de deposição contínua e pulsada do InAs usando diferentes taxas de crescimento nas amostras crescidas por deposição contínua. Para efeito de comparação foi preparada uma amostra que consiste de um poço quântico simples de In0.14Ga0.86As/GaAs com a mesma largura efetiva do poço presente nas amostras DWELL. A caracterização óptica das amostras foi feita através da técnica de fotorefletância PR (photoreflectance) no intervalo de temperatura de 12 K a 300 K. Através dos espectros de PR analisamos a origem das transições observadas, a influência dos diferentes modos de crescimento sobre a energia das transições dos pontos quânticos e estimamos o tamanho dos QDs convencionais.
ASSUNTO(S)
física quântica poços quânticos epitaxia por feixe molecular quantum dots pontos quânticos quantum physics quantum wells molecular beam epitaxy
ACESSO AO ARTIGO
http://189.90.64.145/document/?code=vtls000155909Documentos Relacionados
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