Metal Semiconductor
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13. SÍNTESE E CARACTERIZAÇÃO DE NANOPARTÍCULAS DE SEMICONDUTORES METÁLICOS DO TIPO II-VI. / SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES METAL TYPE II-VI.
Os nanomateriais inorgânicos são uma classe de materiais avançados, que vêm sendo difundidos tanto em ciência como em nanotecnologia. O uso destes materiais está localizado em diversas áreas de atuação, fazendo com que tal classe seja interdisciplinar. Alguns desafios como o tipo de síntese e a toxidade devem ser explorados, principalmente porque e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/02/2012
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14. Solidification Furnace for Microgravity Experiments on Sounding Rockets
Abstract: The Brazilian Microgravity Program is mainly based on experiments carried out on sounding rockets. Up to present days, three missions carrying a total of 25 experiments were made. In all flights, a fast solidification furnace, capable of producing temperatures up to 900º C, was used to process metal and semiconductor alloys in microgravity envir
J. Aerosp. Technol. Manag.. Publicado em: 2012-06
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15. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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16. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixe de íons (IBAD) / Optoelectronic properties of interfaces hybrid metal / organic semiconductor prepared by ion beam assisted deposition (IBAD)
In this work, optoelectronic properties from organic light emitting devices (OLEDs), based on conjugated polymers with metallic cathode, which were deposited by ion beam assisted deposition technique (IBAD) were studied. The main objective of this work is to produce a hybrid non abrupt metal/polymer interface and to study its effects on electron injection. T
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2011
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17. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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18. Estudo da interação de nanotubos de carbono com substrato de quartzo cristalino
Single wall carbon nanotubes (SWNTs) are quasi-onedimensional structures consisting of a rolled up graphene nanoribbon. Due to their unusually large surface-to-volume ratio, SWNTs are strongly affected by the environment. Contact with a supporting substrate modifies their properties, and such interactions have been broadly studied as either a drawback or a s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/03/2011
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19. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level
In nanometer scale complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) parameter variations pose a challenge for the design of high yield integrated circuits. This work presents models that were developed to represent physical variations affecting Deep- Submicron (DSM) transistors and computationally efficient methodologies for simulating these devices using Elec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011
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20. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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21. Analysis of electron direct tunneling current through very-thin gate oxides in MOS capacitors with the parallel-perpendicular kinetic energy components and anisotropic masses
An electron direct tunneling current model of n+- poly - Si/SiO2/p - Si(100) metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors has been developed by considering a parallel-perpendicular kinetic energy coupling, which is represented by the gate electron phase velocity, and anisotropic masses under a parabolic E-k dispersion relationship. The electron effective mass
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2010-12
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22. Propriedades eletrônicas e processos de transporte em materiais semicondutores nano-estruturados / Electronic properties and transport processes in nano-structured semiconductor materials
Os mecanismos de confinamento e transporte em escala nanométrica continuam a ser um desafio em Física do Estado Sólido, uma vez que tanto a dimensionalidade quanto o tamanho dos dispositivos continuam a ser reduzidos. Desta forma, o estudo e entendimento do transporte em materiais amorfos e nano-cristalinos, que apresentam acoplamento de processos de tran
Publicado em: 2010
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23. Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells
This work focuses on studying two types of structure: homogeneous and double-diffused emitter silicon solar cells. The emitter collection efficiencies and the recombination current densities were studied for a wide range of surface dopant concentrations and thicknesses. The frontal metal-grid was optimized for each emitter, considering the dependence on the
Materials Research. Publicado em: 2009-03
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24. Potential performance of SiC and GaN based metal semiconductor field effect transistors
A Monte Carlo simulation has been used to model steady-state electron transport in SiC and GaN field effect transistor. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters described for the experimental structures as closely as possible. Simulations of SiC MESFETs of lengths 2, 2.6 and 3.2 µm have been carried out and compared t
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2009-03