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1. Produção de nanomateriais semicondutores e caracterização de suas propriedades estruturais, térmicas e ópticas
Nessa dissertação de mestrado a Mecano-Síntese foi utilizada para produzir nanomateriais semicondutores (In-Sb, Cd-Te e Zn-Te) na forma de pó. Propriedades estruturais, térmicas e ópticas das ligas foram estudadas. A fase estrutural majoritária nucleada em todos os materiais foi cúbica do tipo blenda de zinco. Os modos vibracionais ópticos típicos
Publicado em: 2009
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2. Determinação da estrutura atômica da superfície (001) de FeO e InSb via difração de elétrons
S
Publicado em: 2007
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3. Lead telluride p-n junctions for infrared detection: electrical and optical characteristics
PbTe mesa diodes were fabricated from a series of p - n junctions grown on BaF2 substrates. For this series, the hole concentration was kept constant at 10(17) cm-3 and the electron concentration varied between 10(17) and 10(19) cm-3. Capacitance versus voltage analysis revealed that for n > 10(18) cm-3, a one-sided abrupt junction is formed. The direct and
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06
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4. Spin relaxation and g-factor manipulation in quantum dots
Phonon-induced spin relaxation rates and electron g-factor tuning of quantum dots are studied as function of in-plane and perpendicular magnetic fields for different dot sizes. We consider Rashba and Dresselhaus spin-orbit mixing in wide and narrow-gap semiconductors, and show how Zeeman sublevels can relax via piezoelectric (GaAs) and deformation (InSb) pot
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06
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5. Um estudo por dinâmica molecular das propriedades estáticas e dinâmicas dos semicondutores InSb, CdTe e ZnTe.
É proposto um potencial de interação que tem a mesma forma funcional para descrever as propriedades estáticas e dinâmicas de semicondutores, tanto em suas fases cristalinas como nos estados líquido e vítreo. O método de dinâmica molecular é utilizado para gerar as trajetórias de fase dos sistemas tanto no ensemble microcanônico quanto no ensemble
Publicado em: 2005
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6. Interaction potential for InSb: a molecular dynamics study
Molecular dynamics simulation was used to study structural and dynamical properties of InSb. The effective potential takes into account two and three-body interactions, considering atomic-size effects and charge-charge, charge-dipole, and dipole-dipole interactions between 1000 particles, 500 In and 500 Sb, initially within a cubic box of side L=32.397 Å .
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2004-06
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7. Influence of a magnetic field on the energy fow of surface polaritons propagating in semiconductor cylinders
This work reports the influence of a dc external magnetic field on the polaritons propagating in cylindrical systems. We present numerical results for the dispersion relation and energy flow for surface polaritons modes propagating in hollow and massive cylinders made of GaAs and InSb.
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2004-06
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8. Estudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentado.
Neste trabalho foi feito um estudo das modificações sofridas pelo antimoneto do índio (InSb) crescido na direção[100 quando submetido a realização de testesde microindentações mecânicas e a laser pulsado fentosegundos. Foram feitas, além de amostras cristalinas, microindentações no material usinado no regime dúctil em diferentes condições. Do
Publicado em: 2004
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9. Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors. / Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho.
This work reports on the electrical characterization of PbTe p-n junctions for application in photovoltaic detectors in the medium infrared range. For this purpose, a series of p-n junctions, where the hole concentration p was kept at 1017 cm-3 and the electron concentration n varied between 1017 and 1019 cm-3, was successfully grown by molecular beam epitax
Publicado em: 2004
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10. Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho. / Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors.
Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentração de buracos p ficou mantida fixa em 1017
Publicado em: 2004
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11. Interações eletronicas em semicondutores normais e em plasmas, quando sob a ação de campos eletromagneticos
The effect of external fields on the behavior of electron interactions in both a solid state and a gaseous plasma has been considered. The external fields consisted of strong electromagnetic waves by themselves or in association with a d.c. magnetic field. As to the interactions in a gaseous plasma the plasma heating by inverse bremsstrahlung ( IB ) was stud
Publicado em: 1980
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12. Espalhamento magneto-Raman ressonante em semicondutor polar
Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de ciclotron ( wc ) é aproximadamente igual a frequência da radiaç�
Publicado em: 1977