Estudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentado.

AUTOR(ES)

Miryam Rincón Joya

DATA DE PUBLICAÇÃO

2004

RESUMO

Neste trabalho foi feito um estudo das modificações sofridas pelo antimoneto do índio (InSb) crescido na direção[100 quando submetido a realização de testesde microindentações mecânicas e a laser pulsado fentosegundos. Foram feitas, além de amostras cristalinas, microindentações no material usinado no regime dúctil em diferentes condições. Do mesmo modo estudou-se o material submetido a pressão hidrostática e por impacto. Os estudos topográficos e tomográficos das amostras foram feitos por meio de espectroscopia micro-Raman com diferentes comprimentos de onda das luz de excitação. Esta é uma técnica não dstrutiva que permitiu fazer microanálises em pequenas regiões (da ordem de microns) tanto superficial como em profundidade e nos proporcionou informação qualitativa da transformação tanto estrutural quanto química do material. Os deslocamentos das frequências dos fônons e o surgimento de novos modos Raman ativos nos permitiram analisar as transações de fase na microindentação e em torno dela. Durante as microindentações e microusinagem o material está sujeito a deformações e um alto grau de estresse localizado. Após a indentação (descarga) o material tende a se recuperar das deformações que aconteceram durante o processo. Esta recuperação não é total, o que gera estresse residual e amorfização na amostra. Os novos picos Raman ativos são atribuidos a uma nova fase cristalina, a wurtzita, nas indentações mecânicas e por impacto (mudança de estrutura); e uma migração do antimonio à superfície (desordem química) na indentação a laser. Do mesmo modo, aparecem as bandas amorfas que dão informação da desordem estrutural. Também empregou-se microscopia eletrônica de varredura (MEV) espectroscopia de energia (EDS) para avaliar as dimensões dos danos e as mudanças na superfície do material.

ASSUNTO(S)

semicondutores indentado raman, espalhamento de matéria - propriedades fisica insb

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