MBE growth and characterization of films SnTe layers and SnTe/Sn1-x EuxTe heterostructures on BaF2 / Crescimento por MBE e caracterização de filmes SnTe e heteroestruturas de SnTe/Sn1-x EuxTe sobre BaF2

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2005

RESUMO

Este trabalho tem por objetivo a investigação sistemática das propriedades estruturais e elétricas de filmes epitaxiais de SnTe crescidos sobre substratos de BaF2 (111), bem como o estudo das propriedades estruturais de filmes de Sn1-xEuxTe (0<xEu=0,12) crescidos sobre camadas intermediárias de SnTe pré-depositadas sobre substratos de BaF2 (111). As amostras foram crescidas utilizando-se a técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) e caracterizadas por difração de raios X de alta resolução, microscopia de força atômica (AFM), microscopia eletrônica de varredura (MEV), perfilometria e medidas de resistividade e de Efeito Hall. Inicialmente foram investigadas três séries de amostras de SnTe, com espessuras dos filmes variando desde 0,2 até 9 µm. Através de medidas de difração de raios X de alta resolução, verificou-se que todos os filmes apresentaram-se monocristalinos e com parâmetros de rede da ordem de 6,330 Å e, das imagens de AFM verificou-se que a superfície dos filmes de SnTe é formada por várias regiões em forma de espiral. Uma estimativa da densidade de threading dislocations (TD), realizada através da contagem das discordâncias na imagem de AFM da amostra com espessura de 1,47 µm, indicou o valor aproximado de 8x108 cm-2. As propriedades elétricas apresentaram valores medidos de mobilidade variando na faixa de 3,9x103 a 4,6x102 cm2/V.s, e de resistividade na faixa de 1,3x10-5 a 1,5x10-4 O.cm, conforme a temperatura foi aumentada de 10 a 300K. A concentração de portadores de cargas do tipo-p apresentou valores medidos da ordem de 1,6x1020 cm-3. Na segunda parte do trabalho foi realizada a investigação das propriedades estruturais de uma série de filmes epitaxiais da liga semicondutora magnética diluída de Sn1-xEuxTe (0<xEu=0,12) crescidos por MBE, sobre substratos de BaF2 (111). A difração de raios X de alta resolução mostrou, que para concentração de Eu de 7,3 e 12%, a presença de alguns picos adicionais relacionados com uma separação de fase, devido à formação de aglomerados de Eu nessas amostras.

ASSUNTO(S)

fisica de materiais growth epitaxy epitaxia por peixe molecular materials physics molecular beam epitaxy semiconductor hall effect microscopia de força atômica semiconducting thin films crescimento epitaxial filmes finos semicondutores efeito hall no semicondutor atomic force microscopy

ACESSO AO ARTIGO

Documentos Relacionados