Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se possam obter de forma sistemática e reprodutível camadas de CaF2 e BaF2 sobre Si(111) adequadas ao posterior crescimento de compostos IV-VI para a fabricação monolítica de detectores de radiação infravermelha integrados ao Si. A Caracterização pós-crescimento das camadas de CaF2 e BaF2 envolve medidas estruturais de raio-X de alta resolução, nas configurações de Bragg Brentano, Rocking Curve e Reflexão de raios-X em incidência rasante, bem como medidas com o microscópio eletrônico de varredura. As medidas permitem a obtenção de informação sobre a qualidade cristalina das camadas, o relaxamento das tensões mecânicas originadas devido à discrepância de parâmetros de rede entre as várias camadas, espessura e rugosidade do filme crescido.

ASSUNTO(S)

buffer caf2 interfaces caf2 baf2 - si growth molecular beam epitaxy baf2 - si pbte and pbeute growth mbe materials and sensors materiais e sensores pbte e pbeute engenharia e tecnologia espacial space engineering and technologia crescimento por mbe crescimento por epitaxia de feixe molecular buffers fluorides calcium and barium interfaces de fluoreto de cálcio (caf2) e fluoreto de bário (baf2)

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