Fonte de tensão de referencia ajustavel implementada com transistores MOS / Adjustable voltage reference source implemented with MOS transistors

AUTOR(ES)

João Paulo Cerquinho Cajueiro

DATA DE PUBLICAÇÃO

2005

RESUMO

Uma nova técnica de compensação de temperatura para implementar tensões de referência em circuitos CMOS é descrita, desde o seu fundamento teórico até a comprovação experimental feita com amostras de circuitos integrados protótipos que a implementam. A ténica proposta se baseia no fato de que a tensão entre gate1, e fonte, VGS, de um transistor MOS pode tanto aumentar como diminuir com o aumento da temperatura, dependendo da corrente com que opera. Com base nisto, é possível empilhar n transistores, que estejam polarizados com uma corrente adequada de tal maneira que a queda de tensão sobre esta pilha de transistores, que tem amplitude nVGS, tenha, ao mesmo tempo, a mesma taxa de variação térmica que a tensão VGS produzida por um único transistor. Em tais condições, a diferença entre estas duas tensões é constante, tornando-se uma referencia de tensão. Uma implementação alternativa à pilha de transistores para produzir a tensão nVGS consiste num único transistor de gate ?utuante no qual a tensão VGS equivalente tem amplitude ajustável em campo. Diversos circuitos que se baseiam nesta técnica foram projetados e alguns deles fabricados em tecnologia CMOS 0,35 µm.O desempenho do melhor circuito fabricado atingiu coe?ciente térmico de 100 ppm/°C na faixa térmica de -40 a 120 °C. Outras configurações foram simuladas mostrando que é possível atingir coeficientes térmicos menores que 10 ppm/°C. O estado da arte é representado por referências de tensão que têm coeficientes térmicos de 1 ppm/°C na mesma faixa térmica em que se caracterizam os circuitos desenvolvidos. Tais referências de tensão se baseiam principalmente nos circuitos chamados de bandgap. Há também, um produto recente da empresa Intersil que utiliza um transistor que opera como memória análoga fornecendo uma tensão referência memorizada com altíssima estabilidade térmica. O princípio em que este produto se baseia, entretanto, é diferente do que está sendo proposto neste trabalho apesar do uso comum de um transistor de gate ?utuante. A contribuição deste trabalho não está no desempenho que as fontes de referência que se baseiam no princípio atingiram. Sua contribuição reside na forma como pode ser implementada, utilizando somente transistores MOS e no fato de que tem amplitude ajustável em campo. 1A palavra gate está sendo usada em toda extensão do texto, em lugar da palavra ?porta?, para identi?car o terminal de alta resistência de um transistor MOS

ASSUNTO(S)

sistemas eletronicos analogicos mos transistor integrated circuits circuitos integrados metallic oxide semiconductor semicondutores de oxido metalico analog electronic systems

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