Mos Transistor
Mostrando 1-12 de 36 artigos, teses e dissertações.
-
1. Analysis of Total Ionizing Dose Effects on 0.13 µm Technology-Temperature-Compensated Voltage References
ABSTRACT: The purpose of this work is to briefly discuss the effects of the total ionizing dose (TID) on MOS devices in order to estimate the results of future irradiation tests on temperature-compensated voltage references that are implemented on a mixed-signal chip fabricated using IBM 0.13 µm technology. The analysis will mainly focus on the effects of t
J. Aerosp. Technol. Manag.. Publicado em: 2013-09
-
2. Registrador portátil de odorantes basado en la modulación de temperatura de un sensor mos comercial
A simple, portable and low-cost system for odor detection was developed using a single MOS commercial sensor and a microcontroller. The temperature modulation technique was implemented applying a DC signal pulse to the sensor heater by a bipolar transistor. Two odorant profiles, ethanol and acetic acid vapors, were obtained and distinguished based on their a
Quím. Nova. Publicado em: 2013
-
3. Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs / Nano-transistores de porta dupla em silício sobre isolante simulação de FinFETs sub-20nm
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como ¿SOI-FinFET¿. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante ¿ ¿Silicon-on- Insulator¿, SOI ¿ com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutu
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
-
4. A modified lightly doped drain structure for vlsi mosfet's
A new n-MOS LDD-like device structure (the J-MOS transistor) is proposed. It’s design, simulation, and fabrication are studied in this paper. n-channel MOSFET’s with Le, below 2µm suffer from high-field effects that must be overcome to secure reliable 5-V operation. LDD structures alleviate these effects, but their reliability is better than that of con
Publicado em: 2011
-
5. A compact model of MOSFET mismatch for circuit design
This paper presents a compact model for MOS transistor mismatch. The mismatch model uses the carrier number fluctuation theory to account for the effects of local doping fluctuations along with an accurate and compact dc MOSFET model. The resulting matching model is valid for any operation condition, from weak to strong inversion, from the linear to the satu
Publicado em: 2011
-
6. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. / Zero temperature coefficient study in SOI mosfets with submicrometer technology.
Neste trabalho é apresentado um estudo do ponto ZTC (Zero Temperature Coefficient) em dispositivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo é realizado a partir de um modelo analítico simples, proposto para determinação da tensão de polarização da porta do transistor no ponto ZTC (VZTC), atrav�
Publicado em: 2011
-
7. Efeito de reoxidações e de tratamentos térmicos com peróxido de hidrogênio na região interfacial SiO2/SiC
Na busca de um semicondutor adequado para substituir o Si em dispositivos micro e nanoeletrônicos em aplicações que exijam alta freqüência, alta potência e/ou alta temperatura, o carbeto de silício (SiC) aparece como uma opção, pois, além de apresentar propriedades adequadas, pode-se crescer termicamente um filme de SiO2 de maneira análoga ao Si.
Publicado em: 2011
-
8. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
-
9. An estimation method for gate delay variability in nanometer CMOS technology
In the nanoscale regime of VLSI technology, circuit performance is increasingly affected by variational effects such as process variations, power supply noise, coupling noise and temperature changes. Manufacturing variations may lead to significant discrepancies between designed and fabricated integrated circuits. Due to the shrinking of design dimensions, t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2010
-
10. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. / Study of carriers mobility in planar and multiple gate SOI devices.
Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da mobilidade de portadores em transistores SOI nMOS e pMOS avançados planares e de porta tripla através de simulações tridimensionais e resultados experimentais. Devido à sua estrutura física, os transistores de porta tripla apresentam duas mobilidades, uma referente ao canal de condução na porta sup
Publicado em: 2010
-
11. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. / Analog operation of multiple gate transistors as a function of the temperature.
In this work it is presented an analysis of the analog operation of multiple gate transistors, evaluating the Early Voltage, the open-loop voltage gain, the transconductance over the drain current ratio (gm/IDS), the drain conductance and, especially, the harmonic distortion exhibited by these devices. Along the work, FinFETs, Gate-All-Around (GAA) devices w
Publicado em: 2010
-
12. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão / Reference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversion
Fontes de referência de tensão e sensores de temperatura são blocos extensivamente utilizados em sistemas microeletrônicos. Como alternativa à aplicação de estruturas consolidadas, mas protegidas por acordos de propriedade intelectual, é permanente a demanda pelo desenvolvimento de novas técnicas e estruturas originais destes circuitos. Também se d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2009