Arsenieto De Galio
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13. Dispositivos optoeletronicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pre-gravados pela tecnica CBE
Apresentamos neste trabalho, um estudo do crescimento de camadas de In0.49Ga0.51P sobre substratos pré-gravados através da técnica de Epitaxia por Feixes Químicos (CBE). Foi realizada uma análise do crescimento dos planos (100) e (111)A em função da temperatura de crescimento e da dimensão das estruturas pré-gravadas. Apresentamos também uma invest
Publicado em: 2001
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14. Sensor Hall de GaAs por implantação de ions
In this work we designed, fabricated and characterized Hall-effect magnetic sensors. We studied the involved physical principies and figures of merit of sensors (Hali voltage, Sensitivity, Offset voltage, Linearity, Noise and Temperature coefficient) and, then, we designed Hall sensors of different shapes, obtaining devices with different sensitivities. We f
Publicado em: 2000
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15. Projeto de fabricação de HBTs
A process was established for the fabrication in laboratory of Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) with the AIGaAs/GaAs system. The work consisted basically of the study of elementary processing steps. A mask set was designed including devices in different sizes and test structures. With this mask set, the processing steps for HBT fabrication were stud
Publicado em: 1999
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16. Projeto de um circuito integrado divisor de frequencias/contador de decada em tecnologia GaAs-familia DCFL - para operação com clock na faixa de 1 GHz
A crescente ênfase sobre a operação portátil de computadores e sistemas de telecomunicação prioriza circuitos de baixa potência, ainda que de alta velocidade. As opções tecnológicas existentes para aplicações digitais na faixa de 100MHz até 1 GHz são as famílias ECL em silício, DCFL em arseneto de gálio (GaAs), bem como ASICs CMOS realizados
Publicado em: 1998
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17. Projeto de um amplificador de transimpedancia monolitico implementado em GaAs com CAG para recepção em comunicações opticas
Este trabalho descreve o projeto e a implementação de um amplificador monolítico de transimpedância, para ser utilizado no estágio de pré-amplificação de receptores ópticos, operando em 51,84Mb/s. Protótipos do circuito projetado foram fabricados pela TriQuint Semiconductor, utilizando a tecnologia de Arseneto de Gálio (GaAs) com transistores MESF
Publicado em: 1998
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18. Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela tecnica de epitaxia por feixe quimico (CBE)
We present here a study on the epitaxial growth of lnXGal-XP layers on GaAs aiming at the composition InO.49GaO.51P which is lattice matched to GaAs. In this work we evaluated the growth rate and composition of InXGal-xP as a function of TMIn+H2 f1ow, as well as the variation of band-gap energy with layer composition. This set of results pointed out an anoma
Publicado em: 1997
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19. Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
Este trabalho é uma contribuição ao desenvolvimento de transistores MESFETs em arseneto de gálio para uso em Circuito Integrados (CIs) de alta velocidade. Inicialmente são descritos processos de fabricação em arseneto de gálio: a obtenção de substratos monocristalinos, a implantação iônica, o recozimento para ativar os dopantes, a realização d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/06/1996
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20. Crescimento de monocristais de arsenito de galio (GaAs) pelo metodo Bridgman
Not informed
Publicado em: 1996
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21. Crescimento homoepitaxial de GaAs por CBE
Apresentamos neste trabalho um estudo de crescimento homoepitaxial de GaAs que tem por objetivo calibrar o sistema CBE montado na Unicamp, auxiliando no crescimento de ligas ternárias e quaternárias. A escolha do crescimento de GaAs está baseada na sua grande importância em micro e optoeletrônica, assim como no fato de existir uma ampla referência bibl
Publicado em: 1996
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22. Projeto de uma tecnologia de fabricação de MESFETs para circuitos integrados em GaAs
This work is a contribution to the development of GaAs MESFETs transistors to use in high speed integrated circuits (CIs). Initially are described the GaAs manufacture processes: monocrystal substrate fabrication, ion implantation, thermal annealing to activate the implanted impurities, contact fabrications. It is developed the mathematical mo deI of the sol
Publicado em: 1996
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23. Espalhamento intervales na liga Al0.48Ga0.52As
Not informed
Publicado em: 1992
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24. Estudo de niveis profundos em semicondutores por transiente de fotocorrente (PITS)
We present a detailed analysis or photocurrent transients in semi-insulating GaAs and we discuss its usefulness as a method for characterization or deep level impurities and defects in high resistivity semiconductors. The photocurrent transient measurements were performed in a "home made" automatic digital system. We present the project details including the
Publicado em: 1989