Transistores Bipolares
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1. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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2. Circuito de comando de base proporcional isolado auto-oscilante para conversor CC/CC "Half-Bridge": uma metodologia de projeto / Isolated proportional base driver for half-bridge DC/DC converter: a design methodology
O presente trabalho apresenta o estudo, o equacionamento, a simulação e uma metodologia de projeto para um conversor CC/CC do tipo Half-Bridge, com transformador de potência alimentado por transistores bipolares em semi-ponte, com circuito de acionamento de base proporcional isolado. O circuito possui um controle de sincronismo aplicado ao transformador d
Publicado em: 2010
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3. Lógica quaternária de alto desempenho e baixo consumo para circuitos VLSI / Low-power high-performance quaternary for VLSI circuits
Desde a década de 60, o aprimoramento das técnicas de fabricação de circuitos integrados que usam lógica binária tem levado ao aumento exponencial na densidade de dispositivos, melhoria do desempenho, redução da energia consumida e redução dos custos de fabricação dos circuitos integrados no estado da arte. Esse avanço tem sido alcançado histor
Publicado em: 2008
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4. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
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5. Junções rasas em Si e SIMOX
Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid T
Publicado em: 2007
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6. Development of integrated optic receiver in HBT technology / Desenvolvimento de receptor optico integrado em tecnologia HBT
Esta dissertação de mestrado descreve o estudo, projeto e implementação de um receptor optoeletrônico integrado (OEIC) utilizando a tecnologia de transistores bipolares de heterojunção (HBT), fabricados a partir do material semicondutor arseneto de gálio. A grande vantagem deste transistor é o seu alto ganho e baixa resistência de base, o qual poss
Publicado em: 2005
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7. Quaternary circuits : adder and multiplier / Circuitos quaternarios : somador e multiplicador
The quaternary circuits are an alternative to data processing that, nowadays, occurs in a binary way. Still in a definition stage, the multiple-valued logic seems to be a research area to aid the increase of performance and reduction of area of the transistors inside an integrated circuit. The multiple-valued logic using four digits to represent the data is
Publicado em: 2005
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8. Modelagem e anÃlise comparativa da confiabilidade em sistemas de seguranÃa e atuaÃÃo com aplicaÃÃo em foguetes.
O circuito de seguranÃa e atuaÃÃo, utilizado tanto em foguetes de sondagem como em lanÃadores de satÃlite, à um dispositivo eletrÃnico responsÃvel pelo acionamento dos elementos pirotÃcnicos de bordo desde o prÃ-lanÃamento atà a fase de vÃo. Tais circuitos consistem, atualmente, de um temporizador e de relÃs mecÃnicos que apresentam, como prin
Publicado em: 2004
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9. Desenvolvimento de elementos de projeto de MMIC em tecnologia HBT
ormado.
Publicado em: 2002
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10. Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs
Um trabalho inicial sobre a fabricação de HBT e o estudo de suas estruturas foram realizados no TIT (Tokyo Institute of Technology) no Japão. Neste Instituto foram desenvolvidos os processos de crescimentos de HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP/GaAs por MOMBE (Metalorganic Molecular Beam Epitaxy). A camada da base deste dispositivo foi altamen
Publicado em: 2001
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11. Projeto de fabricação de HBTs
A process was established for the fabrication in laboratory of Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) with the AIGaAs/GaAs system. The work consisted basically of the study of elementary processing steps. A mask set was designed including devices in different sizes and test structures. With this mask set, the processing steps for HBT fabrication were stud
Publicado em: 1999
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12. Projeto do nucleo de um Voltimetro Vetorial analogo integrado em tecnologia BiCMOs
Este trabalho descreve a implementação de um circuito integrado para ser utilizado como núcleo de um Voltímetro Vetorial analógico, visando aplicações em análises de vibrações. O Voltímetro Vetorial baseia-se no método Wattimétrico[8] e determina em coordenadas cartesianas a amplitude e fase de um sinal que está em sincronismo com uma referênc
Publicado em: 1997