Si Diodes
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1. Electron dosimetry in irradiation processing with rad-hard diodes / Dosimetria de elétrons em processos de irradiação com diodos resistentes a danos de radiação
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de sistemas dosimétricos baseados em diodos especiais de Si, resistentes a danos de radiação, para monitoração online de processos de irradiação com elétrons de 1,5 MeV de energia e para dosimetria relativa e escaneamento de feixe de elétrons clínicos dentro de uma faixa de energia de 6 a 21 MeV. O
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/09/2012
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2. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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3. Propriedades magneto-óticas e de magneto-transporte de um diodo de tunelamento ressonante contendo Si δ - doping no poço quântico
In this work, we have studied the transport and optical properties of GaAs = AlGaAs resonant tunneling diodes with Si delta-doping at the center of the quantum well. We have studied magneto-transport and polarized resolved photoluminescence from GaAs quantum well and contact layers as a function of applied voltage and magnetic _eld parallel to the tunnel cur
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/03/2011
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4. Comparative study of Si diodes response for gamma radiation dosimetry / Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama
Neste trabalho é apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radiação gama. Os diodos investigados, crescidos pelas técnicas de fusão zonal (Fz) e Czchocralski magnético (MCz), foram processados no Instituto de Física da Universidade de Helsinki no âmbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resis
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/04/2010
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5. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses / Development of dosimeters with rad-hard silicon diodes for high dose dosimetry
Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram manufaturados por Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 31/08/2009
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6. Dosimetria de processos de irradiação gama com diodos comerciais de silício / GAMMA RADIATION PROCESSING DOSIMETRY WITH COMMERCIAL SILICON DIODES
This work envisages the development of dosimeters based on Si diodes for gamma radiation dosimetry from 1 Gy up to 100 Gy. This dose range is frequently utilized in radiation processing of crystal modifications, polymers crosslinking and biological studies carried out in the Radiation Technology Center at IPEN-CNEN/SP. The dosimeter was constructed by a comm
Publicado em: 2009
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7. Sínteses, caracterizações e estudo de pontos quânticos de calcogenetos de cádmio
CdS, CdSe, CdSxSe1-x and Cd1-xMnxS quantum dots were successfully grown in the glass matrix SNAB [40SiO2.30Na2CO3.1Al2O3.29B2O3 (mol%)] synthesized by the Fusion Method, when subjected to certain thermal treatment. The glass transition temperature (Tg) of the glass matrix SNAB was found by Differential Scanning Calorimetry (DSC) in order to set the temperatu
Publicado em: 2009
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8. Lead telluride p-n junctions for infrared detection: electrical and optical characteristics
PbTe mesa diodes were fabricated from a series of p - n junctions grown on BaF2 substrates. For this series, the hole concentration was kept constant at 10(17) cm-3 and the electron concentration varied between 10(17) and 10(19) cm-3. Capacitance versus voltage analysis revealed that for n > 10(18) cm-3, a one-sided abrupt junction is formed. The direct and
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06
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9. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P. / Electrical characterization of nickel-silicide shallow contacts on N+P junctions.
This work presents the fabrication and electrical characterization of Al/Ti/Ni(Pt)Si contacts having the nickel monosilicide formed from Ni(30nm)/Pt(1.5nm)/Si structure on shallow N+P junctions with about 0.2 ìm of depth. The diodes? electrical behavior achieved at the best process was considered good, with the following average and standard deviations: are
Publicado em: 2006
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10. Abrasion resistance of composites polymerized by light-emitting diodes (LED) and halogen light-curing units
O trabalho comparou a perda de massa e a rugosidade superficial de materiais restauradores diretos polimerizados por luz halógena e por diodo emissor de luz (LED). A partir de uma matriz de politetrafluoretileno, foram confeccionados 20 corpos-de-prova (12 mm de diâmetro; 1,0 mm de espessura) para cada material restaurador [TPH (Dentsply); Definite (Deguss
Brazilian Dental Journal. Publicado em: 2006
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11. "Factors affecting the energy resolution in alpha particle spectrometry with silicon diodes" / "Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"
Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de Si, com estrutura de múltiplos anéis de guarda, na detecção e espectrometria de partículas alfa. Este diodo foi fabricado por meio do processo de implantação iônica (Al/p+/n/n+/Al) em um substrato de Si do tipo n com resistividade de 3 kohmcm, 300 mícrons de esp
Publicado em: 2005
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12. High-temperature thin-catalytic gate devices for combustion emissions control
4H- and 6H-SiC Schottky diodes responding down to 5 ppm of NO and NO2 gases at temperatures up to 450ºC were fabricated. Upon exposure to gas, the forward current of the devices changes due to variations in the Schottky barrier height. For NO gas, the response follows a simple Langmuir adsorption model. Device parameters were evaluated from linear conductan
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2004-06