Semiconductor Laser
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1. Low-intensity red and infrared laser effects at high fluences on Escherichia coli cultures
Semiconductor laser devices are readily available and practical radiation sources providing wavelength tenability and high monochromaticity. Low-intensity red and near-infrared lasers are considered safe for use in clinical applications. However, adverse effects can occur via free radical generation, and the biological effects of these lasers from unusually
Braz J Med Biol Res. Publicado em: 28/07/2015
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2. Dinâmica em freqüência de lasers semicondutores sob realimentação ótica ortogonal e aplicação: chaveamento todo-ótico em frequência
Estudamos a dinâmica em frequência da radiação emitida por lasers semicondutores submetidos a diferentes condições de realimentação ótica e demonstramos como é possível o controle da frequência de emissão pelo uso das diferentes configurações exploradas. No primeiro sistema estudado, um laser semicondutor é realimentado por luz com polarizaç
Publicado em: 2010
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3. Development of InGaAsP/InP double-heterostrucuture semiconductor laser with distributed feedback / Desenvolvimento de laser semicondutor de dupla heteroestrutura InGaAsP/InP com realimentação distribuida
O desenvolvimento de um laser de semicondutor envolve várias etapas, e cada uma delas requer conhecimentos e técnicas específicas. O objetivo deste trabalho foi desenvolver as várias técnicas necessárias para o projeto, fabricação e caracterização de um laser de semicondutor monomodo, com realimentação distribuída, operando em 1.5 µm (3ª. gera
Publicado em: 2009
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4. O uso de laser diodo de 830nm em cicatrizes pós-cirúrgicas de hérnia inguinal. Um estudo clínico / The use of 830nm diode laser in post-surgical scarring of inguinal hernia. A clinical study.
Background: Low Level Laser Therapy (LLLT) has been shown to be beneficial in the tissue repair process as shown in work done with tissue culture and animal experiments. However, there is a scarcity of work done with regard to post-surgical scarring of incisions in humans using infrared, 830nm, GaAlAs laser. The purpose of this study was to investigate the e
Publicado em: 2009
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5. Amplificadores opticos de semicondutores com multi-contatos para controle da potencia optica de saturação / Semiconductor optical amplifiers with multi-contacts for optical power saturation control
A crescente demanda do uso de sistemas de comunicação óptica, seja pelo aumento do número de usuários ou pela quantidade de informação enviada, requer um aumento substancial na necessidade de desenvolvimento de novos sistemas e componentes. Em termos de componentes aplicados à comunicação óptica, aqueles utilizados para a amplificação óptica s�
Publicado em: 2009
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6. Raman spectroscopy in kdp crystals and nanotubos of carbon (Implantation of the Technique) / Espectroscopia Raman em cristais de kdp e nanotubos de carbono (Implantação da Técnica)
Currently, physicist have developed new techniques for characterization materials, mainly in the field of new materials that are being produced from existing materials such as glass, ceramics, polymers, semiconductor and superconductor materials, magnetic materials, etc. In that line, the Group of Physic of materials of Amazon has acquired new techniques for
Publicado em: 2008
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7. High sensitivity Thermal Lens spectroscopy / Espectroscopia de lente térmica de alta sensibilidade
The efficiency of conventional transmission methods used to measure absorption of hightransparent materials is usually limited by light scattering and reflection. On the other hand, Thermal Lens spectroscopy is insensible to such phenomena and has been widely applied to determinate low optical absorptions. In this thesis, we have studied a recently developed
Publicado em: 2008
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8. Equivalent circuit and parameters extraction in a semiconductor optical amplifier / Circuito equivalente e extração de parametros em um amplificador optico a semicondutor
O advento das comunicações por fibras ópticas esteve intrinsecamente ligado aos lasers a diodo semicondutor. Posteriormente, principalmente na área de redes metropolitanas, iniciaram-se as aplicações envolvendo o amplificador óptico a semicondutor (SOA, em inglês). O SOA é muito similar ao laser a diodo semicondutor, pois também amplifica a luz inc
Publicado em: 2007
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9. Decoherence and relaxation time in an ensemble of quantum dots / Tempos de relaxação e decoerencia em ensembles de pontos quanticos
Experimental measurements were carried out to determine the scales of the relaxation and decoherence time for the electronic spin as quantum bit. The structure of the exciton states was investigated with the objective to serve as intermediate states in the spin manipulation. The system studied for the implementation of the quantum computation is an ensemble
Publicado em: 2007
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10. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletronica / Cleaved face laser with nanostructured active region pumped by electronic injection
This masters dissertation presents the theoretical studies on the calculation of optical gain in nanostructures based on the InGaAs/InGaAsP/InP system. From the time dependent perturbation theory, where perturbation is the interaction of an electromagnetic wave with matter, and the Kanes theory for semiconductors band structure, relating the transition m
Publicado em: 2006
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11. Desenvolvimento de fontes de radiação coerente na região azul com lasers semicondutores para experimentos de resfriamento e aprisionamento de atomos de calcio / Development sources of coherent radiation in the blue region with semiconductors laser for experiments of coolong and trapping of neutral calcium atoms
Esta tese apresenta o desenvolvimento de fontes de radiação coerente na região do azul baseadas em lasers semicondutores para excitar a transição de resfriamento e aprisionamento 1 S0-1P1 do Cálcio, em 423nm. Foi construído um laser de diodo em cavidade estendida emitindo em g =846 nm que foi empregado em uma configuração de Cavidade Estendida de Li
Publicado em: 2004
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12. Lasers de semiconductor de baixo ruido para espectroscopia atomica na região azul do espectro
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de duas fontes laser na região violeta do espectro para serem usadas em espectroscopia atômica e aprisionamento de átomos de Cálcio. Ambas as fontes são baseadas em lasers de semicondutor com a frequência duplicada. Uma delas utiliza um laser com cavidade estendida e frequência duplicada por um cristal de niob
Publicado em: 2003