Development of InGaAsP/InP double-heterostrucuture semiconductor laser with distributed feedback / Desenvolvimento de laser semicondutor de dupla heteroestrutura InGaAsP/InP com realimentação distribuida
AUTOR(ES)
João Hermes Clerici
DATA DE PUBLICAÇÃO
2009
RESUMO
O desenvolvimento de um laser de semicondutor envolve várias etapas, e cada uma delas requer conhecimentos e técnicas específicas. O objetivo deste trabalho foi desenvolver as várias técnicas necessárias para o projeto, fabricação e caracterização de um laser de semicondutor monomodo, com realimentação distribuída, operando em 1.5 µm (3ª. geração dos sistemas de comunicações ópticas). Foram desenvolvidas todas as etapas do processo: modelamento e definição dos parâmetros do dispositivo; crescimento epitaxial das camadas que formam a estrutura; montagem do arranjo óptico e fabricação da grade holográfica; caracterização elétrica e óptica dos dispositivos. O espectro de emissão dos dispositivos fabricados apresentaram uma forte atenuação dos modos laterais, produzindo uma diferença de aproximadamente 17dB entre o modo fundamental e os laterais. Foi dada uma maior ênfase ao domínio do procedimento de projeto e ao desenvolvimento das técnicas de fabricação, deixando a otimização do dispositivo para uma etapa futura. Foram produzidas grades holográficas de excelente qualidade e desenvolvido o processo de crescimento de camadas epitaxiais para a fabricação de lasers monomodo dinâmico, que poderão servir de base para outros projetos
ASSUNTO(S)
semiconductor laser laser de semicondutor semiconductor lasers comunicações oticas lasers semicondutores - projetos e construção optical communications optoelectronics optoeletronica
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=000478038Documentos Relacionados
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