Semiconductor Devices
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13. Uma proposta para o controle eletrônico de reguladores eletromagnéticos através do reforço série de tensão
A busca por soluções para os distintos problemas da qualidade da energia elétrica, com destaque às variações das tensões de suprimento, conta, na atualidade, com uma extensa gama de produtos visando, sobretudo, a regulação dinâmica da tensão de suprimento. Não obstante tal reconhecimento, os desafios por estratégias alternativas por compensadore
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/08/2012
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14. Fabricação e caracterização de dispositivos baseados em nanofitas de Óxido de Estanho (SnO2)
The structural and transport features of tin oxide nanobelts synthesized by the vapor-solid method combined with the carbothermal reduction process were investigated in this work. The samples synthesized were characterized by using experimental techniques such as scanning and transmission electron microscopy and x-ray diffraction. The nanobelts were found to
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 06/08/2012
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15. Degradação de sinais com modulação NRZ-DQPSK e 16-QAM em enlaces ponto a ponto com amplificadores ópticos a semicondutor = : NRZ-DQPSK and 16-QAM signal degradation in fiber links with semiconductor optical amplifiers / NRZ-DQPSK and 16-QAM signal degradation in fiber links with semiconductor optical amplifiers
Modulações ópticas avançadas como DQPSK e QAM tem sido escolhidas por serem formatos multiniveis (dois bits ou mais por símbolo), aumentando a eficiência espectral de sistemas ópticos. Entretanto, o amplificador óptico a semicondutor (SOA) indicado principalmente para aplicações de media distancia (da ordem de 20 km), pode degradar o sinal DQPSK e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/07/2012
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16. Elaboração de indicadores bibliométricos a partir de patentes de nanotecnologia
The need to assign values to consumer and globalization have created a new format in the economy. These phenomena have increased investments in technology until the crisis of 1970 that generated a reduction in economic growth and consequently reduction in research funding. This context created resources that could gauge the areas that lacked development. One
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/02/2012
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17. Estudo das propriedades elétricas de células eletroquímicas emissoras de luz de derivados de polifluoreno / Electric properties study of polymer light-emitting electrochemical cells based on polyfluorene derivatives
Polymer light emitting electrochemical cells, PLECs, are organic electronic devices that have attracted commercial interest because they operate at low voltage and exhibit high performance without the need of specific electrodes such as indium tin oxide (ITO), calcium and others. This feature provides low cost of fabrication and exible devices. The charge in
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/11/2011
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18. Propriedades optoeletrônicas de interfaces híbridas metal/semicondutor orgânico preparadas por deposição assistida por feixe de íons (IBAD) / Optoelectronic properties of interfaces hybrid metal / organic semiconductor prepared by ion beam assisted deposition (IBAD)
In this work, optoelectronic properties from organic light emitting devices (OLEDs), based on conjugated polymers with metallic cathode, which were deposited by ion beam assisted deposition technique (IBAD) were studied. The main objective of this work is to produce a hybrid non abrupt metal/polymer interface and to study its effects on electron injection. T
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2011
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19. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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20. Conversão em comprimento de onda de sinais modulados em fase por mistura de quatro ondas em SOAs / Wavelength conversion of phase modulated channels by four-wave mixing in SOAs
Recently semiconductor optical amplifiers (SOAs) have been the focus of interest in several applications. One of the most common SOA roles is as a wavelength converter, where the device transfers information content among optical carriers in the optical domain. Four wave mixing (FWM), cross-gain modulation (XGM), and cross-phase modulation (XPM) are major no
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/04/2011
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21. Modeling of statistical low-frequency noise of deep-submicrometer MOSFETs
The low—frequency noise (LF-noise) of deep-submicrometer MOSFETs is experimentally studied with special emphasis on yield relevant parameter scattering. A novel modeling approach is developed which includes detailed consideration of statistical effects. The model is based on device physics parameters which cause statistical variations in LF-noise behavior
Publicado em: 2011
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22. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level
In nanometer scale complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) parameter variations pose a challenge for the design of high yield integrated circuits. This work presents models that were developed to represent physical variations affecting Deep- Submicron (DSM) transistors and computationally efficient methodologies for simulating these devices using Elec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011
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23. Síntese assistida por microondas de LiMn2O4, caracterização e testes como catodo para dispositivos de armazenamento de energia / Microwave-assisted sinthesys of LiMn2O4, characterization and testing as cathode for energy storage devices
Lithium manganese oxide - LiMn2O4 - was produced by a microwaveassited solid state reaction. Solid mixtures containing LiOH.H2O and -MnO2 (synthesized electrolytically) underwent microwave irradiation for 3, 4 and 5 min. The obtained material was characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy and cyclic voltammetry. Conductivi
Publicado em: 2011
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24. Circuito equivalente e extração dos parâmetros em função da corrente de amplificadores ópticos a semicondutor / Equivalente circuit and parameters extraction as function of the bias current of semiconductor optical amplifiers
Apresenta-se a modelagem de um circuito elétrico equivalente e a extração de parâmetros de amplificadores ópticos a semicondutor (SOA), a partir de um modelo para lasers semicondutores. Foi realizado um estudo do comportamento da impedância de um SOA em chip, sem encapsulamento, em função da corrente de polarização e em ampla faixa de frequência .
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/08/2010