Nanoestruturas Semicondutoras
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13. Efeito Rashba em nanoestruturas de materiais semicindutores do tip IV-VI.
Esta tese trata do Efeito Rashba ou interaÃÃo spin- Ãrbita em nanoestruturas semicondutoras de materiais do tipo IV-VI. Os materiais semicondutores do tipo IV-VI apresentam uma estrutura de mÃltiplos vales e uma forte interaÃÃo spin-Ãrbita, sendo bons candidatos para aplicaÃÃes em spintrÃnica. As energias dos estados quantizados para eletrons confi
Publicado em: 2002
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14. Estudo de propriedades eletricas no sistema tensionado InAs/InP
Este trabalho teve como objetivo implementar novas técnicas de microscopia por varredura com ponta de prova no equipamento existente no LPD/DFA/UNICAMP e aplicá-las ao estudo de propriedades elétricas de nanoestruturas semicondutoras. Em particular, foi necessário projetar, construir e implementar no microscópio, um circuito eletrônico de medição de
Publicado em: 2002
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15. Modelo teorico para o transporte em nanoestruturas
Neste trabalho estudamos, de maneira teórica, as propriedades de transporte de nanoestruturas tanto semicondutoras quanto metálicas que possuem um confinamento bidimensional. O confinamento lateral gera nanofios cuja condutância é quantizada. No caso de heteroestruturas de semicondutores, utilizamos modelo dentro das aproximações de função envelope e
Publicado em: 2002
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16. Relaxação de portadores via interação eletron-fonon em pontos e poços quanticos
A interação entre elétrons e fônons é um importante ingrediente para qualquer discussão realista das propriedades ópticas em sistemas de dimensão reduzida. É também relevante para determinar a dinâmica de portadores em dispositivos semicondutores e para o estudo das transições radiativas em dispositivos fotônicos. Adicionalmente, existe muito i
Publicado em: 1999
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17. Estudo do controle do crescimento de nanoestruturas semicondutoras do tipo CdTe e CdTeS em matrizes vitreas borosilicatos
In this thesis we study the growth kinectics of semiconductor nanoestructures in borosilicate glass matrix. We study the fabrication methods which allow us to obtain very low size dispersion and deep trap defects free nanostructures. We use small angle x-rays scattering (SAXS) techniques with synchrotron light to study the samples growth in situ, absorption
Publicado em: 1996