Efeito Rashba em nanoestruturas de materiais semicindutores do tip IV-VI.

AUTOR(ES)

Hasegawa, Marcelo Mendes

DATA DE PUBLICAÇÃO

2002

RESUMO

Esta tese trata do Efeito Rashba ou interaÃÃo spin- Ãrbita em nanoestruturas semicondutoras de materiais do tipo IV-VI. Os materiais semicondutores do tipo IV-VI apresentam uma estrutura de mÃltiplos vales e uma forte interaÃÃo spin-Ãrbita, sendo bons candidatos para aplicaÃÃes em spintrÃnica. As energias dos estados quantizados para eletrons confinados em poÃos quÃnticos assimÃtricos crescidos nas direÃÃes [11

ASSUNTO(S)

materiais semicondutores nanoestruturas teoria quÃntica interaÃÃes spin-Ãrbita fÃsica da matÃria condensada spin eletrÃnico

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