Mos Transistor
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13. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. / Analog performance of dynamic threshold voltage SOI MOSFET.
This work presents the study of analog performance parameters of PDSOI (Partially-depleted) transistor in comparison with a Dynamic Threshold MOS transistor (DTMOS). The DTMOS is a partially-depleted device with dynamic threshold voltage. This variation of threshold voltage is obtained when the gate is connected to the silicon film (channel) of the PDSOI dev
Publicado em: 2009
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14. A modified lightly doped drain mosfet for very large scale integration
Reducing MOSFET dimensions while maintaining a constant supply voltage leads to higher electric fields inside the active regions of VLSI transistors. Operation of micron and submicron MOSFETs in the presence of high-field effects has required design innovations so that a constant supply voltage, acceptable punchthrough voltage, and long-term reliability are
Publicado em: 2009
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15. PROCESSAMENTO DE SINAIS ANALÓGICOS AMOSTRADOS UTILIZANDO TÉCNICAS DE CHAVEAMENTO A CAPACITOR E A CORRENTE APLICADOS À CONVERSÃO AD SIGMA DELTA
Circuitos de amostragem e retenção de sinais analógicos são comumente implementados com técnicas de chaveamento de capacitores (Switched Capacitor SC). Circuitos SC empregam o armazenamento de cargas em um capacitor linear para representar um sinal sob a forma de tensão. Amplificadores Operacionais (AmpOps) são usados para transferir essa carga de um
Publicado em: 2009
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16. Modelo do descasamento (mismatch) entre transistores MOS / Mismatch model for MOS transistors
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de ’80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionai
Publicado em: 2008
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17. Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS / Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de 80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais.
Publicado em: 2008
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18. Automação do projeto de módulos CMOS analógicos usando associações trapezoidais de transistores / Analog CMOS modules design automation using trapezoidal associations of transistors
A metodologia de projeto semi-customizado usando associações trapezoidais de transistores (TATs) é especialmente viável para o projeto de circuitos integrados mistos analógico- digitais. Vários trabalhos foram desenvolvidos demonstrando exemplos de aplicações que geraram bons resultados utilizando esta metodologia. Entretanto, ficou evidente a falta
Publicado em: 2008
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19. Circuitos integrados de radio-recepção para a operação de multiplexação espacial de antenas em tempo real / Integrated circuits of radio-reception for spatial multiplexing of antennas in real time
This research aims the conception of new topologies of integrated circuits and its characterizations for operation in radio-receiver systems. The design and fabrication of RF switches, LNAs, mixer, and VCOs are presented. The SMILE - Spatial MultIplexing of Local Elements - technique was adopted due to its advantages and functionality for the intelligent ant
Publicado em: 2008
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20. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos. / Study of gate induced floating body effect in the linear bias region in deep submicrometer nMOSFETs devices.
This work presents the study of the Gate Induced Floating Body Effect (GIFBE) that occurs in the SOI MOSFET technology. This study has been performed based on experimental results and on numerical simulations, which were an essential auxiliary tool to obtain a physical insight of this effect. Besides the contribution on the physical explanation of this pheno
Publicado em: 2008
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21. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. / Modeling, simulation and fabrication of analog circuits with standard and graded-channel SOI transistors operating at cryogenic temperatures.
Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais. Este estudo foi realizado utilizando-se medida
Publicado em: 2008
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22. Project of circuits for generation of voltage reference in receiving/transmitting RF systems. / Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF.
This work consists in the design of a CMOS Voltage Reference Source with a temperature coefficient inferior to 50 ppm/ºC. This voltage source should be applied in radio frequency receptor/transmitter but can be also applied in any analog system. The technology employed in the design is the CMOS 0.35 µm from the AMS (Austria Micro Systems) with four metal l
Publicado em: 2007
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23. Modelagem e projeto de módulos amplificadores e comparadores em tecnologia CMOS 0,35um / Analysis and design of amplifiers and comparators modules in cmos 0.35um technology
Diferente do projeto de sistemas digitais, no qual as técnicas de projeto e ferramentas CAD vêm apresentando uma crescente evolução acompanhada da redução de seus preços, o projeto de sistemas analógicos CMOS ainda apresenta uma forte correlação com a experiência do projetista. Dentro deste contexto, importantes fatores como caracterização de te
Publicado em: 2007
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24. Uma ferramenta para automação da geração do leiaute de circuitos analógicos sobre uma matriz de transistores MOS pré-difundidos
Este trabalho apresenta o LIT, uma ferramenta de auxílio ao projeto de circuitos integrados analógicos que utiliza a técnica da associação trapezoidal de transistores (TAT) sobre uma matriz digital pré-difundida. A principal característica é a conversão de cada transistor simples de um circuito analógico em uma associação TAT equivalente, seguido
Publicado em: 2007