Fonte Dc De Alta Tensao
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1. Desenvolvimento e avaliação de uma fonte DC de alta tensão para utilização em sistema de deposição de filmes finos por pulverização catódica
RESUMO O trabalho em questão está relacionado ao projeto e construção de uma fonte de alta tensão em corrente contínua utilizando materiais e dispositivos adquiridos no comércio local visando sua aplicação no processo de pulverização catódica. Essa técnica permite a deposição de filmes finos de metais, óxidos e nitretos sobre substratos sóli
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2016-06
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2. Desenvolvimento de materiais e métodos de fabricação de sensores químicos/bioquímicos baseados em silício e nanoestruturas de carbono (ISFET, CNTFET e GraFET) : Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET) / Development of materials and methods of fabrication of chemical/biochemical sensors based on silicon and carbon nanostructures (ISFET, CNTFET and GraFET)
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de sensores químicos/bioquímicos. Utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da UNICAMP, foram desenvolvidos e caracterizados filmes finos de alta constante dielétrica e filmes metálicos. Os materiais desenvolvidos foram
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2012
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3. DESIGN AND IMPLEMENTATION OF INTERIOR LIGHTING SYSTEMS USING LIGHT EMITTING DIODES (LEDS) / PROJETO E IMPLEMENTAÇÃO DE LÂMPADAS PARA ILUMINAÇÃO DE INTERIORES EMPREGANDO DIODOS EMISSORES DE LUZ (LEDS)
Este trabalho apresenta um sistema de iluminação eficiente empregando diodos emissores de luz (LEDs) de alta intensidade. O objetivo é desenvolver um circuito eletrônico, compacto e de baixo custo, para acionamento e controle da corrente dos LEDs contidos em um único invólucro. A proposta visa a racionalização no uso da energia elétrica através de
Publicado em: 2008
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4. Estudos em plasmas gerados em sistema magnetron para deposiÃÃo de nitreto de alumÃnio em baixa temperatura.
O nitreto de alumÃnio (AlN) tem atraÃdo muito interesse pelas suas notÃveis propriedades fÃsicas: dureza, alta condutividade tÃrmica, resistÃncia para altas temperaturas. Uma fonte de catodo oco DC foi adicionada a um sistema de sputtering magnetron. Isto leva a uma ionizaÃÃo na regiÃo do catodo e habilita a descarga a operar a pressÃes significati
Publicado em: 2007
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5. Bombeamento optico de moleculas polares por laser selado de 13 ANTPOT. ( C O IND. 2 ) para geração de ondas Terahertz / Optically pumped of polar molecules for sealled-off 13 ANTPOT. ( C O IND. 2 ) laser for generation Terahertz waves
Neste trabalho realizamos três importantes etapas: 1) montar e caracterizar um laser selado de 13C02, 2) empregar o laser selado de 13C02 como fonte de bombeamento óptico para a molécula de metanol CH30H, e utilizá-lo pela primeira vez, para excitar o isótopo de metanol 13CH30H para geração de ondas na região do TeraHertz (THz) e 3) Propor "assignmen
Publicado em: 2007
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6. ANÁLISE TEÓRICA E EXPERIMENTAL DO COMPORTAMENTO DE GRANDES E PEQUENOS SINAIS E DESENVOLVIMENTO DE UM NOVO MODELO DINÂMICO DE PEQUENOS SINAIS DO CONVERSOR ZVS-PSM-FB.
Esta Dissertação de Mestrado apresenta o desenvolvimento de um novo modelo dinâmico para o conversor CC-CC Ponte-Completa Modulado por Deslocamento de Fase e com Comutação em Zero de Tensão (ZVS-PSM-FB). Inicialmente, o conversor ZVS-PSM-FB é analisado, onde são derivadas as equações que definem a operação em regime-permanente do conversor. A seg
Publicado em: 2006
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7. Projeto, desenvolvimento e construção de uma fonte de alta tensão pulsada para polarização de valvulas Klystron
A pulsed high voltage power supply, used for feeding a Klystron RF amplifier, in the Laboratorio Nacional de Luz Síncroton (LNLS) linear accelerator (LlNAC) is described. The design, development, assembling and constructive details are included. The system, named modulator, provides a 3 ?mu?s pulses of 250 kV and 250 A, with voltage stability better than 1%
Publicado em: 1993