Epitaxy
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1. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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2. Crescimento e caracterização de nanofios auto-sustentados de ligas ternárias de InGaAs
Nanofios de ligas ternárias de Arseneto de Gálio e Índio (InxGa1-xAs) são excelentes candidatos para aplicações tecnoógicas em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, mas existem uns poucos estudos experimentais sobre seu crescimento que permitam obter um controle e conhecimento significativo das suas propriedades óticas e elétricas. Este trab
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/03/2012
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3. Modelagem da formação de estruturas tridimensionais em crescimento epitaxial / Modelling of three-dimensional structures formation in epitaxial growth
Nesta tese estudamos o surgimento de estruturas tridimensionais auto-arranjadas em superfícies crescidas por epitaxia por feixe molecular (MBE). Foram utilizadas simulações de Monte Carlo cinético para a descrição de dois casos específicos dessas morfologias: formação de morros e de nucleação de ilhas 3d de escalas nanométricas conhecidas como po
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/07/2011
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4. Construção e caracterização de célula solar tipo barreira Schottky CdTe/Al / Construction and caracterization of Schottky barrier solar cells CdTe/Al
In this work the techniques of hot wall epitaxy (HWE) and molecular beam epitaxy (MBE) on thin films of CdTe (cadmium telluride) were used in order to manufacture a prototype solar cell type Schottky barrier. The films were produced by evaporation of a solid alloy of CdTe, varying two parameters of deposition: the growth time and substrate temperature. In th
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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5. Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescência
Semiconductor structures with high confinement degree, such as quantum wells, quantum wires and quantum dots, have been of great interest, both from the technological point of view and for basic research. Self-Assembled Quantum Dots (SAQD`s) appear spontaneously, as a consequence of the lattice mismatch of the material deposited in relation to the substrate,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/02/2010
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6. Crescimento de nanofios auto-sustentados de arseneto de índio por epitaxia por feixes moleculares
This Thesis reports the experimental and theoretical works related to the growth and characterization of free-standing gallium indium arsenide nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The growth mechanisms of free-standing nanowires remain barely known and explored in its fundamental aspects. The theoretical models of the formation of free-standing n
Publicado em: 2010
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7. Fotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs
Neste trabalho estudamos pontos quânticos QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well). Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da té
Publicado em: 2010
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8. Ressonadores de microdiscos com região ativa nanoestruturada bombeados por injeção eletrônica / Microdisk resonators with nanostructured active region pumped by electronic injection
This doctorate¿s thesis presents the growth of InAs quantum dots directly on high bandgap InGaAsP (?g=1420 nm) barriers to be used as the active region of microdisk resonators with emission in the C-band (1520¿1570 nm). Based on photoluminescence and atomic force microscopy experiments, the occurrence of inter-diffusion on the InAs/InGaAsP interface is cal
Publicado em: 2010
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9. Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecular / Project and construction of a molecular beam epitaxy growth system
A técnica de crescimento epitaxial por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy – MBE) pode ser considerada como uma das mais importantes para a obtenção de filmes finos, heteroestruturas e nanoestruturas nos dias atuais, permitindo a obtenção de filmes de excelente qualidade, além de permitir o acompanhamento do crescimento in situ através de
Publicado em: 2009
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10. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
The first part of the work dealt with the application of lithographical techniques to fabricate Hall geometry of IV-VI films grown on (111) BaF_2 substrates. A previous study of In diffusion in PbTe films confirmed the viability of using In as a metallic contact. During the lithographic process, some solutions were implemented to resolve the problems generat
Publicado em: 2009
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11. Propriedades opticas de nanofios de InP / Optical properties of InP nanowires
Optical properties of InP nanowires grown by Vapor-Liquid-Solid (VLS) method in a Chemical Beam Epitaxy system were investigated by using micro-photoluminescence spectroscopy varying experimental parameters such as excitation power, emitted signal polarization and sample temperature. Due to polytypism (InP in cubic, zincblende (ZB), and hexagonal, wurtzite (
Publicado em: 2009
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12. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
A primeira parte do trabalho consistiu na implementação de técnicas de litografia para a fabricação da geometria Hall em filmes IV-VI crescidos sobre substratos de BaF_2 (111). Um estudo prévio da difusão do In em filmes de PbTe mostrou a viabilidade da utilização do In como contato metálico. Na realização dos processos litográficos, várias sol
Publicado em: 2009