Epitaxia Por Feixe Molecular
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25. Estudo das transições excitônicas em poços quânticos através da técnica de fotoluminescência
Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, um conjunto poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs de largura de 60 Å com concentração de alumínio x variando entre 0.05 e 0.35, preparados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre um substrato de GaAs orientado na direção [100]. Através da análise dos resultados
Publicado em: 2006
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26. Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe crescidas por epitaxia de feixe molecular / PbTe/PbEuTe double barrier structures grown by molecular beam epitaxy
This work reports the growth of PbTe/Pb(1-x)Eu(x)Te double barrier (DB) structures by molecular beam epitaxial and the device processing aiming the resonant tunneling measurement. The samples were grown on (111) BaF(2) substrates at 300°C. Resistivity and Hall effect measurements were performed on reference films to determine the most suitable electrical pr
Publicado em: 2006
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27. MBE growth and characterization of films SnTe layers and SnTe/Sn1-x EuxTe heterostructures on BaF2 / Crescimento por MBE e caracterização de filmes SnTe e heteroestruturas de SnTe/Sn1-x EuxTe sobre BaF2
Este trabalho tem por objetivo a investigação sistemática das propriedades estruturais e elétricas de filmes epitaxiais de SnTe crescidos sobre substratos de BaF2 (111), bem como o estudo das propriedades estruturais de filmes de Sn1-xEuxTe (0<xEu=0,12) crescidos sobre camadas intermediárias de SnTe pré-depositadas sobre substratos de BaF2 (111). As
Publicado em: 2005
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28. Estudo das propriedades ópticas da super-rede InGaAS/ InGaAIAs: Si através da técnica de fotoluminescência
Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, uma super-rede semicondutora de In0,53Ga0,47As/In0,52Ga0,235Al0,24As dopada com Si, crescida através da técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre InP. As origens das transições ópticas observadas nos espectros de fotoluminescência são atribuídas através da análise d
Publicado em: 2005
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29. Molecular beam epitaxy of p-type doped layers for the construction of optoelectronic devices / Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta téc
Publicado em: 2004
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30. Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho. / Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors.
Este trabalho visa à caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores fotovoltaicos na faixa do infravermelho médio. Para isto, uma série de junções p-n foi crescida com sucesso por epitaxia de feixe molecular sobre substratos de fluoreto de bário. Nesta série, a concentração de buracos p ficou mantida fixa em 1017
Publicado em: 2004
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31. Estudo de propriedades estruturais e magneticas de filmes epitaxiais de MnAs sobre GaAs (001) / Study of the structural and magnetic properties of epitaxial MnAs films on GaAs(001)
Neste trabalho foram estudados filmes finos de MoAs crescidos por epitaxia de feixe molecular em substratos de GaAs (001). As propriedades magnéticas destas hetero-estruturas (filme magnético sobre um substrato semicondutor) são fortemente dependentes das propriedades estruturais do filme de MoAs que foram estudadas detalhadamente utilizando técnicas de
Publicado em: 2004
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32. Electrical characterization of PbTe p-n junctions for applicarion in infrared detectors. / Caracterização elétrica de junções p-n de PbTe para aplicação em detectores de infravermelho.
This work reports on the electrical characterization of PbTe p-n junctions for application in photovoltaic detectors in the medium infrared range. For this purpose, a series of p-n junctions, where the hole concentration p was kept at 1017 cm-3 and the electron concentration n varied between 1017 and 1019 cm-3, was successfully grown by molecular beam epitax
Publicado em: 2004
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33. Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs
Um trabalho inicial sobre a fabricação de HBT e o estudo de suas estruturas foram realizados no TIT (Tokyo Institute of Technology) no Japão. Neste Instituto foram desenvolvidos os processos de crescimentos de HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP/GaAs por MOMBE (Metalorganic Molecular Beam Epitaxy). A camada da base deste dispositivo foi altamen
Publicado em: 2001
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34. Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por metodo Monte Carlo
Os processos cinéticos - difusão e adsorção - responsáveis pela formação de estruturas superficiais na interface sólido-vapor durante a epitaxia de filmes finos cristalinos foram estudados usando o método Monte Carlo Cinético. O crescimento epitaxial foi simulado computacionalmente baseando-se no modelo Solid-on-Solid (SOS). Supõe-se que o cristal
Publicado em: 2000
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35. Propriedades Óticas de Estruturas Semicondutoras com Dopagem Planar do Tipo n ou p / Optical properties of semiconductor structures with doping Flat Type n or p
Estruturas semicondutoras com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semicondutoras com dopagem planar tipo n ou p, utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescencência (PL) e fotoluminescência-excitaç�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/1998
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36. Crescimento e caracterizaÃÃo de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0
Filmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentraÃÃo de estanho variando em todo o intervalo de composiÃÃo de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sÃlidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura
Publicado em: 1998