Epitaxia Por Feixe Molecular
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13. Controle de caos em amostras semi-isolantes de arseneto de gálio
Low frequency current oscillations have been usually investigated under the influence of the external applied bias, the temperature and the illumination. A parallel applied magnetic field has been used in the present work in order to obtain odd periodic windows and bifurcations inside them in a two dimension parameter space in a semi-insulating GaAs grown by
Publicado em: 2008
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14. Oxidation of EuTe - (111) epitaxial films / Oxidação de filmes epitaxiais de telureto de európio - EuTe (111)
Filmes epitaxiais de EuTe recém crescidos foram expostos ao ar ou ao fluxo O2 e analisados por medidas de Transmitância Óptica, Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Difração de Raios X de Alta Resolução (HRXRD) nas configurações de Triplo eixo e Rocking curve , Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e Espectroscopia de Fotoel
Publicado em: 2008
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15. Oxidação de filmes epitaxiais de telureto de európio - EuTe (111) / Oxidation of EuTe - (111) epitaxial films
Filmes epitaxiais de EuTe recém crescidos foram expostos ao ar ou ao fluxo O2 e analisados por medidas de Transmitância Óptica, Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Difração de Raios X de Alta Resolução (HRXRD) nas configurações de Triplo eixo e Rocking curve , Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) e Espectroscopia de Fotoel
Publicado em: 2008
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16. Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas
Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [100], [311]A e [311]B. Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X. O estudo das transi
Publicado em: 2008
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17. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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18. Construção de um sistema de epitaxia por feixe molecular / Building of a molecular beam epitaxy system
O crescimento epitaxial de nanoestruturas semicondutoras e metálicas é algo de grande interesse atualmente em ciência e tecnologia devido às propriedades singulares apresentadas pela matéria na escala nanométrica. Esta dissertação teve como objetivo principal a construção de um sistema de crescimento epitaxial baseado na técnica de epitaxia por fe
Publicado em: 2007
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19. Estudo da perda de energia e da flutuação estatística da perda de energia de íons de lítio em direções aleatórias do silício
Usando a técnica de Retroespalhamento Rutherford (RBS). no presente trabalho medimos a perda de energia e a flutuação estatística da perda de energia (straggling) como função da energia para íons de Li em alvos de silicio amorfo. Através do método dos marcadores. com amostras produzidas por implantação iônica e por epitaxia de feixe molecular,o p
Publicado em: 2007
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20. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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21. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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22. CRESCIMENTO, ESTRUTURA E POLARIZAÇÃO DE TROCA EM BICAMADAS FERROMAGNETO / ANTIFERROMAGNETO PREPARADAS POR DEPOSIÇÃO EM CONDIÇÕES DE EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR: Fe / EuTe(111), Fe / Ni50Mn50(001) e Ni1-xFex / Fe50Mn50
Magnetic interaction at interfaces between different layered magnetic materials is an important current topic in physics and materials science, particularly when combining ferromagnetic metals and semiconductors. The exchange bias effect associated with the exchange coupling between antiferromagnetic (AFM) and ferromagnetic (FM) systems, has been extensively
Publicado em: 2007
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23. Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe crescidas por epitaxia de feixe molecular / PbTe/PbEuTe double barrier structures grown by molecular beam epitaxy
Este trabalho apresenta o crescimento por epitaxia de feixe molecular de estruturas de barreira dupla (BD) de PbTe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te e o processamento do dispositivo, visando à medida de tunelamento ressonante. As amostras foram crescidas sobre substratos de BaF$_{2}$ (111) à temperatura de 300$°$C. Medidas de resistividade e efeito Hall foram realizad
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/04/2006
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24. Estudo in-situ de filmes ultrafinos de óxidos de ferro sobre Ag(100) por técnicas de superfície
A produção e caracterização de filmes ultra finos de óxidos de Fé crescidos por epitaxia de feixe molecular (BEM) sobre a superfície Ag (100) em condições de ultra-alto-vácuo foi realizada com o principal objetivo de se produzir a fase FeO. Orientado na direção (100) e com excelente qualidade cristalográfica. Os filmes foram preparados com 57 Fe
Publicado em: 2006