AUTOR(ES)

DATA DE PUBLICAÇÃO

1998

RESUMO

Filmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentraÃÃo de estanho variando em todo o intervalo de composiÃÃo de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sÃlidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura w/2q refletida pelos planos (222) das amostras, medida com um difratÃmetro de raios X de alta resoluÃÃo, foi aproximadamente 400 segundos de grau para as ligas ternÃrias, e 150 segundos de grau para os compostos binÃrios. A mobilidade Hall a baixa temperatura foi de 5x105cm2V-1s-1 para o PbTe, e 2x103cm2V-1s-1 para o SnTe, embora a qualidade cristalogrÃfica das amostras fossem semelhantes. Este decrÃscimo na mobilidade à uma conseqÃÃncia do aumento de densidade de buracos, que variou de 2x1017cm-3 para 2x1020cm-3 quando a concentraÃÃo de estanho mudou de 0 para 100%. Este valor elevado de densidade de portadores, nas amostras com alta concentraÃÃo de estanho, mostrou uma grande mudanÃa no espectro de transmissÃo no infravermelho medido entre 77 a 300K, devido ao efeito de Burstein-Moss.

ASSUNTO(S)

materiais compostos difraÃÃo por raios x caracterizaÃÃo feixes moleculares epitaxia espectroscopia no infravermelho filmes finos cristalografia

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