Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas
AUTOR(ES)
Márcio Teodoro Daldin
DATA DE PUBLICAÇÃO
2008
RESUMO
Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [100], [311]A e [311]B. Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X. O estudo das transições ópticas foi realizado pela técnica de fotoluminescência (PL). Através dos resultados obtidos, identificamos os picos dos espectros e analisamos os seus comportamentos em função da temperatura e intensidade de excitação. Utilizando baixas intensidades de excitação, analisamos no intervalo de temperatura de 12 a 120 K o comportamento de éxcitons localizados em flutuações do potencial de confinamento das heteroestruturas. A dependência da energia do pico da PL com a temperatura foi ajustada através da expressão proposta por Pässler [Phys. Status Solidi B, 200, 155 (1997)] subtraído do termo T k / B 2 ? que considera a presença das flutuações de potencial. Verificamos através da forma de linha, da largura de linha à meia altura dos espectros de PL, dos valores de ? obtidos dos ajustes dos pontos experimentais e dos valores máximos do blueshift do pico de PL, que as amostras crescidas nas direções [311]A/B possuem maiores flutuações de potencial em relação às crescidas na direção [100], indicando um maior grau das corrugações superficiais dos MQWs crescidos nas direções [311]. A variação do gap de energia com a temperatura foi investigada com intensidades de excitação altas o suficiente para blindar as flutuações de potencial, empregando ajustes pelos modelos de Varshni, Viña, Pässler-p e Pässler-?. Os parâmetros de ajustes dos diferentes modelos foram analisados em função da orientação do substrato e não apresentaram variações significativas.
ASSUNTO(S)
física do estado sólido Ótica semicondutores - propriedades óticas solid state physics optics semiconductors - optical properties
ACESSO AO ARTIGO
http://189.90.64.145/document/?code=vtls000127896Documentos Relacionados
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