Diodos Si
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1. Electron dosimetry in irradiation processing with rad-hard diodes / Dosimetria de elétrons em processos de irradiação com diodos resistentes a danos de radiação
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de sistemas dosimétricos baseados em diodos especiais de Si, resistentes a danos de radiação, para monitoração online de processos de irradiação com elétrons de 1,5 MeV de energia e para dosimetria relativa e escaneamento de feixe de elétrons clínicos dentro de uma faixa de energia de 6 a 21 MeV. O
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/09/2012
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2. Identificação de flavonoides, quantificação de isovitexina e avaliação das atividades antioxidante e fotoprotetora in vitro dos extratos metanólico e glicólico de Passiflora coccinea (Aubl.) / Identification of flavonoids, quantification of isovitexin and evaluation of antioxidant and photoprotective in vitro activities of methanolic and glycolic Passiflora coccinea (Aubl.) extracts
As espécies do gênero Passiflora são ricas em flavonoides, que apresentam atividade antioxidante e, por isso, têm potencial para uso em formulações que combatam o envelhecimento extrínseco da pele. Esse envelhecimento está ligado à formação de espécies reativas de oxigênio pela absorção da radiação ultravioleta. Neste contexto, formulações
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/05/2012
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3. Influência do fotoperíodo no crescimento do pacamã / Influence of photoperiod on growth of pacamã
O objetivo deste trabalho foi avaliar o efeito do fotoperíodo no desempenho do pacamã Lophiosilurus alexandri. Foram utilizadas juvenis de peso (4,20 0,05 g) e comprimento (8.20 0,06 cm), distribuídos em 16 caixas, 10 animais por caixa. Os animais foram adaptados as condições do laboratório durante 10 dias com fotoperíodo (12:12, Luz/Escuro). Após es
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/03/2012
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4. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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5. Propriedades magneto-óticas e de magneto-transporte de um diodo de tunelamento ressonante contendo Si δ - doping no poço quântico
In this work, we have studied the transport and optical properties of GaAs = AlGaAs resonant tunneling diodes with Si delta-doping at the center of the quantum well. We have studied magneto-transport and polarized resolved photoluminescence from GaAs quantum well and contact layers as a function of applied voltage and magnetic _eld parallel to the tunnel cur
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/03/2011
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6. Comparative study of Si diodes response for gamma radiation dosimetry / Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama
Neste trabalho é apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radiação gama. Os diodos investigados, crescidos pelas técnicas de fusão zonal (Fz) e Czchocralski magnético (MCz), foram processados no Instituto de Física da Universidade de Helsinki no âmbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resis
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/04/2010
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7. Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses / Development of dosimeters with rad-hard silicon diodes for high dose dosimetry
Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram manufaturados por Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 31/08/2009
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8. Dosimetria de processos de irradiação gama com diodos comerciais de silício / GAMMA RADIATION PROCESSING DOSIMETRY WITH COMMERCIAL SILICON DIODES
This work envisages the development of dosimeters based on Si diodes for gamma radiation dosimetry from 1 Gy up to 100 Gy. This dose range is frequently utilized in radiation processing of crystal modifications, polymers crosslinking and biological studies carried out in the Radiation Technology Center at IPEN-CNEN/SP. The dosimeter was constructed by a comm
Publicado em: 2009
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9. Chromatographic profile and multivaried analysis to quality control of commercial samples of the Phyllanthus genus (stone breaker) / Perfil cromatográfico e análise multivariada para o controle de qualidade de amostras comerciais do gênero Phyllanthus (quebra-pedra)
O presente trabalho apresenta o desenvolvimento e aplicação de métodos por Cromatografia Líquida de Alta Eficiência (CLAE) para o controle de qualidade de amostras vegetais conhecidas como quebra-pedra, que correspondem a espécies do gênero Phyllanthus, duas delas inscritas na Farmacopéia Brasileira: P.niruri L. e P. tenellus Roxb. Um método analít
Publicado em: 2008
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10. Preparação e caracterização de filmes finos de cobalto em silício tipo p
Neste trabalho serão discutidos os processos experimentais empregados para a sistematização da preparação e caracterização de diodos de barreira Schottky. O diodo Schottky possui ampla aplicação em dispositivos e aparelhos eletrônicos, sendo peça fundamental na indústria da microeletrônica. O diodo a ser descrito é constituído de uma camada de
Publicado em: 2007
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11. Growth and characterization of low dimensional structures for applications in the visible spectrum / Crescimento e caraterização de estruturas de baixa dimensionalidade para aplicações no espectro visivel
Os nitretos (Ga, Al, In)N assim como os compostos GaInP, GaCuO2, representam um sistema de materiais muito importante para as aplicações em opto-eletrônica e dispositivos tais como os diodos emissores de luz (LEDs), lasers e nanosensores. Entretanto, o requisito essencial para as aplicações industriais desses materiais é a redução em seus tamanhos. N
Publicado em: 2007
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12. Efeito da fotoativação com LED sobre a microdureza de um compósito em cavidades com diferentes profundidades
O objetivo deste estudo foi avaliar o comportamento de três aparelhos fotoativadores, sendo que dois aparelhos utilizam a tecnologia de diodos emissores de luz (LED) (Radii-SDI; Single V-Bio art) e o ultimo é um aparelho convencional de lâmpada halógena (XL-2500-3M ESPE), sendo que o primeiro apresenta o diodo emissor de luz na extremidade do aparelho; o
Publicado em: 2007