Diodos Si
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13. Glass passivation in power rectifiers. / Passivação a vidro de junções semicondutoras em dispositivos de potência.
The search for better electrical properties, new passivating materials for semiconductors junctions and the process of obtaining those ones have being studied intensively in the latest decades. There are two types of passivation layers: thick film and thin film. The first one is obtained by the deposition of silicon oxides, silicon nitride or silicon carbide
Publicado em: 2006
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14. Processos termicos rapidos RTO / RTA para fabricação de dispositivos MOS / Rapid thermal process RTO / RTA for MOS devices fabrication
Filmes ultra-finos e finos de óxido de silício (SiO2) foram obtidos por oxidação (RTO) e recozimento (RTA) térmicos rápidos, usando diferentes temperaturas de 600, 700, 800 e 960oC por 40s, em ambiente de oxigênio e de nitrogênio, respectivamente. A caracterização por elipsometria (para índice de refração fixo de 1.46), por microscopia eletrôni
Publicado em: 2005
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15. "Factors affecting the energy resolution in alpha particle spectrometry with silicon diodes" / "Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"
Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de Si, com estrutura de múltiplos anéis de guarda, na detecção e espectrometria de partículas alfa. Este diodo foi fabricado por meio do processo de implantação iônica (Al/p+/n/n+/Al) em um substrato de Si do tipo n com resistividade de 3 kohmcm, 300 mícrons de esp
Publicado em: 2005
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16. A proposal for chemical characterization and quality evaluation of botanical raw materials using glandular trichome microsampling of yacón (Polymnia sonchifolia, Asteraceae), an Andean medicinal plant
Neste trabalho é descrita uma proposta para a caracterização química e avaliação da qualidade de drogas vegetais através da análise de tricomas glandulares das folhas de duas populações diferentes de yacón (Polymnia sonchifolia Poeppig & Endlicher, Asteraceae). Esta espécie é uma planta medicinal andina e o chá preparado com suas folhas apresen
Revista Brasileira de Farmacognosia. Publicado em: 2003
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17. Estudo químico-quântico ab initio e semi-empírico de compostos inorgânicos e orgânicos com possíveis aplicações tecnológicas
Longa vida útil, alta densidade de energia, segurança ambiental, baixo custo, por-tabilidade e confiabilidade são requisitos exigidos pela moderna sociedade na produção das baterias. As baterias recarregáveis de lítio usando soluções eletrolíticas com solventes apróticos atendem, em princípio, estes requisitos. Ao se usar uma solução eletrolít
Publicado em: 2001
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18. Desenvolvimento e caracterizaÃÃo de solda direta entre semicondutores.
Esta tese descreve um estudo de adesÃo direta entre semicondutores. Foi realizada adesÃo entre silÃcio e silÃcio, silÃcio e fosfeto de Ãndio, e foram feitas tentativas de aderir silÃcio a lÃminas de PbTe fabricadas no LaboratÃrio Associado de Sensores (LAS) do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). A eficiÃncia de adesÃo (Ãrea aderida/
Publicado em: 1999
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19. Estudo dos efeitos do confinamento quantico em particulas nanoscopicas de silicio
Neste trabalho propomos o crescimento e a caracterização de nanocristais de silício visando o estudo do efeito do confinamento quântico nas propriedades óticas e elétricas destes materiais. Baseados em resultados preliminares que mostraram evidências de confinamento quântico em diodos de tunelamento ressonante de silício, desenvolvemos um novo tipo
Publicado em: 1995
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20. Luminescencia e propriedades oticas e vibracionais em carbetos de silicio amorfo hidrogenado não estequiometrico depositados por descarga luminescente
Os materiais amorfos são bem conhecidos desde ha muito tempo, tendo como melhor exemplo o vidro. Somente recentemente o estudo de suas propriedades e suas aplicações na microeletrônica vem crescido dramaticamente. Isto é conseqüência do sucesso obtido por Spear e LeComber(1) no controle das propriedades elétricas do silício amorfo hidrogenado (a-Si:
Publicado em: 1990