Digital Reference Models
Mostrando 1-12 de 25 artigos, teses e dissertações.
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1. Comparison of the accuracy of virtual and direct bonding of orthodontic accessories
RESUMO Introdução: técnicas convencionais, diretas ou indiretas, de colagem de acessórios ortodônticos falham em obter a posição ideal desses. Objetivo: comparar a acurácia da colagem virtual e da colagem direta de acessórios ortodônticos por vestibular. Métodos: uma configuração virtual única (modelo de manequim com Classe I dentária) s
Dental Press J. Orthod.. Publicado em: 05/09/2019
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2. A digitalização do simbólico e o capitalismo cultural-digital: a expansão dos serviços culturais-digitais no Brasil
Resumo O capitalismo cultural-digital tem como núcleo o processo de digitalização do simbólico. Esse processo abriga quatro fenômenos interdependentes: (1) a consolidação da tecnologia do streaming; (2) a expansão global do uso dos dispositivos digitais móveis, especialmente os smartphones; (3) a convergência digital; (4) o advento e a profusão da
Soc. estado.. Publicado em: 06/05/2019
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3. COMPARISON BETWEEN ABSOLUTE AND RELATIVE POSITIONAL ACCURACY ASSESSMENT - A CASE STUDY APPLIED TO DIGITAL ELEVATION MODELS
Resumo Este artigo apresenta um estudo comparativo entre os métodos absoluto e relativo para a avaliação de acurácia posicional altimétrica de Modelos Digitais de Elevação (MDE). Para o embasamento teórico desta pesquisa, foram apresentadas as definições de acurácia (exatidão) e precisão, bem como conceitos relativos à acurácia posicional abso
Bol. Ciênc. Geod.. Publicado em: 18/04/2019
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4. Assessment of digital elevation models to obtain morphometric characteristics in relief transition region
Resumo Objetivou-se com este estudo, avaliar o desempenho de MDEs na caracterização morfométrica de uma bacia hidrográfica situada em região de transição entre os relevos Planalto São Franciscana, Depressão São Franciscana e Serra do Espinhaço. Para o estudo, foram gerados quatro MDEs por interpolação dos dados do SRTM e de cartas topográficas,
Rev. Ambient. Água. Publicado em: 04/02/2019
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5. Assessment of Digital Elevation Model for Digital Soil Mapping in a Watershed with Gently Undulating Topography
ABSTRACT Terrain attributes (TAs) derived from digital elevation models (DEMs) are frequently used in digital soil mapping (DSM) as auxiliary covariates in the construction of prediction models. The DEMs and information extracted from it may be limited with regard to the spatial resolution and error magnitude, and can differ in the behavior of terrain featur
Rev. Bras. Ciênc. Solo. Publicado em: 23/06/2016
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6. On the status and role of instrumental images in contemporary science: some epistemological issues
The controversy over imageless thought versus picture thinking (especially via mechanical models), with the recent reconsideration of model-based reasoning in the physical sciences is briefly examined. The main focus of the article is on the role of instrumentally elicited images (scopic instruments, cameras, CCDs) in the sciences, especially in the physical
Sci. stud.. Publicado em: 2014
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7. Prediction equations for maximal respiratory pressures of Brazilian adolescents
BACKGROUND: The literature emphasizes the need for studies to provide reference values and equations able to predict respiratory muscle strength of Brazilian subjects at different ages and from different regions of Brazil. OBJECTIVES: To develop prediction equations for maximal respiratory pressures (MRP) of Brazilian adolescents. METHOD: In total,
Braz. J. Phys. Ther.. Publicado em: 2013-06
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8. Detecção de defeitos do tipo Resistive-Open em SRAM com o uso de lógica comparadora de vizinhança
The world we live today is very dependent of the technology advance and the Systemson- Chip (SoC) are one of the most important actors of this advance. As a consequence, the Moore s law has been outperformed due to this strong demand on the SoCs for growth, so that new silicon technologies has emerged along with new fault models that decreased the reliabilit
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/03/2012
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9. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. / Study of tunnel field effect transistors.
This works presents the study of tunneling field effect transistors, namely TFETs. Analyses were performed based on theoretical explanations, numerical simulations and experimental data in order to show this technology suitability as an alternative for the continuous devices scaling. The basic idea of making use of band-to-band tunneling as the main current
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 26/03/2012
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10. Métrica para avaliação da inconsistência hidrológica de terrenos representados por MDE / Metric for evaluate the hydrological inconsistency of terrains represented by DEM
This paper presents a method to evaluate the hydrologic inconsistencies in terrain represented by digital elevation model. This method becomes important because of the widespread use of GIS in the hydrology area and hydrological consistency of digital terrain models have received attention of many researchers. Currently checking the model hydrologic consiste
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2012
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11. Avaliação de algoritmos e modelos digitais de elevação para extração automática da drenagem / Automatic drainage network extraction using digital elevation models
This work is an evaluation of automatic processes for drainage extraction from Digital Elevation Models (DEM), as related to different data sources, terrain types, algorithms and operation parameters. SRTM, Topodata and GDEM data of four (4) watersheds with distinct geomorphometries were processed through six (6) different flow algorithms (D8, Rho8, Dinf, Mf
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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12. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level
In nanometer scale complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) parameter variations pose a challenge for the design of high yield integrated circuits. This work presents models that were developed to represent physical variations affecting Deep- Submicron (DSM) transistors and computationally efficient methodologies for simulating these devices using Elec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011