Cmos
Mostrando 25-36 de 244 artigos, teses e dissertações.
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25. Systems architectural challenges for transitional and compatible to CMOS technologies in giga-scale hardware integration
Publicado em: 2011
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26. A novel voltage-mode CMOS quaternary logic design
This brief presents a novel kind of voltage-mode CMOS design that uses multiple threshold voltage transistors and three power supply lines to implement quaternary logic gates, showing lower power dissipation and using less area than the present voltage-mode quaternary circuits. Inverter, NMIN, and NMAX gates are simulated with the Spice tool using TSMC 0.18-
Publicado em: 2011
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27. Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM)
Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, 1998) e com a análise de Monte Carlo, o seu comportamento com relação à dose de ionização total (Total Ionization Dose,
Publicado em: 2011
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28. Dimensionamento de portas lógicas usando programação geométrica / Gate sizing using geometric programming
Neste trabalho é desenvolvida uma ferramenta de dimensionamento de portas lógicas para circuitos integrados, utilizando técnicas de otimização de problemas baseadas em Programação Geométrica (PG). Para dimensionar as portas lógicas de um circuito, primeiramente elas são modeladas usando o modelo de chaves RC e o atraso é calculado usando o modelo
Publicado em: 2011
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29. Filmes cintiladores baseados em oxissulfeto de gadolínio
Neste trabalho, foi realizado um estudo sobre a influência da espessura de filmes cintiladores na intensidade de luz produzida por ele, tendo como motivação a otimização das propriedades desses filmes para aplicação em sistemas de imageamento de raios X na área medica. Para tanto, foram preparados filmes baseados em Gd2O2S pelo método de sedimentaç
Publicado em: 2011
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30. Modeling and simulation of device variability and reliability at the electrical level
In nanometer scale complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) parameter variations pose a challenge for the design of high yield integrated circuits. This work presents models that were developed to represent physical variations affecting Deep- Submicron (DSM) transistors and computationally efficient methodologies for simulating these devices using Elec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2011
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31. Projeto de um amplificador operacional cmos de dois estágios e simulação elétrica do efeito de dose total
Este trabalho tem o objetivo de, inicialmente, fazer uma análise das fontes de radiação relevantes para aplicações de circuitos integrados em ambientes aeroespaciais. Em seguida se discute o efeito da radiação ionizante sobre estes circuitos integrados. Para o estudo do caso foi realizado o projeto de um amplificador operacional de dois estágios para
Publicado em: 2011
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32. Sensor de pressão microeletromecânico com fonte de referência em tensão / Microelectronic pressure sensor with voltage reference
Apresentamos neste trabalho a fabricação e a caracterização de um sensor de pressão totalmente compatível com a tecnologia CMOS. Este sensor é constituído por quatro piezoresistores, implantados e dispostos em ponte de Wheatstone. Os processos de fabricação do sensor foram todos realizados no Centro de Componentes e Semicondutores (CCS) - Unicamp.
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 06/08/2010
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33. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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34. CMOS digital integrated circuit design faced to NBTI and other nanometric effects / Projeto de circuitos integrados digitais CMOS face ao NBTI e outros efeitos nanométricos
Esta dissertação explora os desafios agravados pela miniaturização da tecnologia na fabricação e projeto de circuitos integrados digitais. Os efeitos físicos do regime nanométrico reduzem o rendimento da produção e encurtam a vida útil dos dispositivos, restringindo a utilidade dos padrões de projeto convencionais e ameaçando a evolução da tec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2010
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35. Aplicação da programação geométrica no projeto de filtros Gm-C para receptores RF CMOS. / Application of geometric programming to the desing og GM-C filters for CMOS RF receivers.
A tendência do mercado da microeletrônica é integrar em um mesmo chip sistemas eletrônicos completos, incluindo simultaneamente circuitos analógicos, digitais e RF. Por causa da complexidade do problema de projeto, a parte analógica e RF desses sistemas é o gargalo do desenvolvimento. Uma alternativa de projeto para circuitos analógicos é formular o
Publicado em: 2010
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36. Projeto de um conversor analógico-digital para um receptor Bluetooth em tecnologia CMOS. / Analog to digital converter design for a Bluetooth receiver in CMOS technology.
In this work, an Analog to Digital Converter (ADC) fulfilling the Bluetooth standard specifications is designed. This block stays at the reception side of an integrated wireless transceiver in CMOS technology. Initially, an analysis of the ADC as a system is carried out, at the same time that the specifications at that level are developed. The architecture a
Publicado em: 2010