Bipolar Transistors
Mostrando 1-7 de 7 artigos, teses e dissertações.
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1. Aplicação de novos materiais em transistores de efeito de campo ferroelétricos
In this work, we investigated the electrical properties of the polyelectrolyte PSS in its sodium form (PSS-Na, Polystyrene sulfonic in the sodium form) and acid form (PSS-H, polystyrene sulfonic in the acid form) and also doped with Fe3+ for application in Ferroelectric Field Effect Transistors (Fe-FET). The PSS-Na was acquired from Aldrich and PSS-H was obt
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/07/2012
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2. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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3. Quaternary circuits : adder and multiplier / Circuitos quaternarios : somador e multiplicador
The quaternary circuits are an alternative to data processing that, nowadays, occurs in a binary way. Still in a definition stage, the multiple-valued logic seems to be a research area to aid the increase of performance and reduction of area of the transistors inside an integrated circuit. The multiple-valued logic using four digits to represent the data is
Publicado em: 2005
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4. Development of integrated optic receiver in HBT technology / Desenvolvimento de receptor optico integrado em tecnologia HBT
Esta dissertação de mestrado descreve o estudo, projeto e implementação de um receptor optoeletrônico integrado (OEIC) utilizando a tecnologia de transistores bipolares de heterojunção (HBT), fabricados a partir do material semicondutor arseneto de gálio. A grande vantagem deste transistor é o seu alto ganho e baixa resistência de base, o qual poss
Publicado em: 2005
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5. Projeto de fabricação de HBTs
A process was established for the fabrication in laboratory of Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) with the AIGaAs/GaAs system. The work consisted basically of the study of elementary processing steps. A mask set was designed including devices in different sizes and test structures. With this mask set, the processing steps for HBT fabrication were stud
Publicado em: 1999
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6. Construção e caracterização de um canhão de eletrons de alta corrente
: In order to meet the intense pulsed beam requirements of the electron linear accelerator at the Instituto de Estudos Avançados, a high current oxide planar cathode Pierce-type geometry electron gun has been developed. This work presents the steps of the gun design and construction including computational simulations of the gun electrode geometry and mecha
Publicado em: 1998
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7. Modelamento de transistores bipolares de heterojunção
A study about current transport mechanism through a heterojunction is presented. Drift and diffusion mechanism are not enough to describe the electrical current (due to a spike in the conduction band of the Npn transistor). This has led to the introduction of the Thermionic-Emission mechanism. The Ebers-Moll and Gummel-Poon models are also compatible with th
Publicado em: 1995