Baf2 Si
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1. Effects of Heat Treatment and Yb 3+ Concentration on the Downconversion Emission of Er 3+ /Yb 3+ Co-Doped Transparent Silicate Glass-Ceramics
The SiO2-Al2O3-BaF2-TiO2-CaF2 transparent silicate glass-ceramics containing BaF2 nanocrystals were successfully prepared by heat treatment process through conventional melting method. Effects of heat treatment processes and Yb3+ concentration on the downconversion (DC) emission of the co-doped Er3+/Yb3+ transparent silicate glass-ceramics were investigated.
Mat. Res.. Publicado em: 28/10/2019
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2. Processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com flureto de bário / Lithographic processes in epitaxial films of IV-VI compounds for Hall measurements and the study of lead telluride doping with barium flouride
The first part of the work dealt with the application of lithographical techniques to fabricate Hall geometry of IV-VI films grown on (111) BaF_2 substrates. A previous study of In diffusion in PbTe films confirmed the viability of using In as a metallic contact. During the lithographic process, some solutions were implemented to resolve the problems generat
Publicado em: 2009
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3. Thermal Analysis and Phase Equilibria in the BaF2-YF3 System / Análise térmica e equilíbrios de fase no sistema BaF2 - YF3
Realizou-se, neste trabalho, uma investigação do sistema binário BaF2-YF3 com o objetivo de esclarecer o comportamento térmico e os equilíbrios de fase em torno do composto BaY2F8, um requisito importante para a obtenção de cristais de alta qualidade. Diversas amostras mistas de composições entre 58 e 80 mol% YF3 foram sintetizadas mediante fusão s
Publicado em: 2008
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4. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/02/2007
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5. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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6. Crescimento de camadas epitaxiais de CaF2 e BaF2 sobre substratos de silício para posterior desenvolvimento de heterostruturais de PbTe e PbEute / Epitaxial growth of CaF2 and BaF2 buffer layers on silicon substrates for PbTe PbEuTe heterostructure development
Este trabalho propõe uma investigação detalhada dos vários aspectos envolvidos no crescimento de interfaces de CaF2 e BaF2 sobre Si (111), utilizando-se a técnica de Molecular Beam Epitaxy (MBE) e análise in situ com Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED). O objetivo é conseguir estabelecer um conjunto mínimo de condições para que se p
Publicado em: 2007
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7. Lead telluride p-n junctions for infrared detection: electrical and optical characteristics
PbTe mesa diodes were fabricated from a series of p - n junctions grown on BaF2 substrates. For this series, the hole concentration was kept constant at 10(17) cm-3 and the electron concentration varied between 10(17) and 10(19) cm-3. Capacitance versus voltage analysis revealed that for n > 10(18) cm-3, a one-sided abrupt junction is formed. The direct and
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06
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8. Estudo de nanoestruturas iônicas e semicondutoras por métodos de primeiros princípios
Nesta tese, investigamos por métodos de primeiros princípios e tight binding, propriedades eletrônicas e estruturais de nanoestruturas iônicas e semicondutoras. Em nanoestruturas iônicas, estudamos a estabilidade energética do flúor intersticial, Fi¯ e da vacância do flúor, VF+, em super-redes de CaF2-BaF2. Além dessas nanoestruturas, investigamos
Publicado em: 2006
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9. Heteroestruturas de semicondutores IV-VI sobre Si obtidas por MBE para aplicaÃÃo em detectores de infravermelho.
Este trabalho investiga pela primeira vez o crescimento epitaxial por MBE - Molecular Beam Epitaxy - e anÃlise in-situ com RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction - de compostos IV-VI diretamente sobre silÃcio. Exceto por alguns poucos e incompletos trabalhos anteriores, esta estrutura à praticamente desconhecida. Estas heteroestruturas necess
Publicado em: 2000
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10. Dispositivos optoeletronicos para o infravermelho termal
The IV-VI materiais semiconducting devices are important due to their several applications in the thermal infrared spectral region (5 mm £ l £ 14 mm). Radiation detectors as well as semiconductor lasers made out with those compounds have several uses, ranging from satellite s attitude control to high resolution spectroscopy. Among the important materiais o
Publicado em: 1994