Heteroestruturas de semicondutores IV-VI sobre Si obtidas por MBE para aplicaÃÃo em detectores de infravermelho.

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DATA DE PUBLICAÇÃO

2000

RESUMO

Este trabalho investiga pela primeira vez o crescimento epitaxial por MBE - Molecular Beam Epitaxy - e anÃlise in-situ com RHEED - Reflection High Energy Electron Diffraction - de compostos IV-VI diretamente sobre silÃcio. Exceto por alguns poucos e incompletos trabalhos anteriores, esta estrutura à praticamente desconhecida. Estas heteroestruturas necessitam ainda de uma investigaÃÃo mais ampla e detalhada dos aspectos fÃsico-quÃmicos da interface, para sua otimizaÃÃo. Devido ao elevado descasamento dos parÃmetros de rede, as estruturas apresentam vÃrios aspectos interessantes para investigaÃÃo em heteroepitaxia e heterojunÃÃes. Um modelo qualitativo foi proposto para explicar algumas observaÃÃes experimentais originais quanto à morfologia do crescimento epitaxial. A integraÃÃo de materiais sensÃveis ao infravermelho, diretamente com o silÃcio, tem grande importÃncia tecnolÃgica para aplicaÃÃes em dispositivos. Atà o presente, esta integraÃÃo tem sido obtida com o uso de camadas intermediÃrias de CaF2 e BaF2, que permitem acomodar as diferenÃas entre os parÃmetros de rede do PbTe e do Si. O crescimento direto do PbTe sobre o Si(100) simplifica o processo e abre novas perspectivas para a engenharia de heteroestruturas e dispositivos, permitindo a reduÃÃo de custos e conferindo maior flexibilidade ao sistema. EsforÃos neste sentido tÃm sido feitos com compostos II-IV sobre Si, cuja diferenÃa dos parÃmetros de rede à ainda maior que aquela entre o PbTe e o Si. O silÃcio poroso tambÃm tem se mostrado um material com propriedades bastante interessantes e, sua utilizaÃÃo como substrato para o PbTe pode ser vantajosa no que diz respeito à relaxaÃÃo de tensÃes. Neste trabalho mostra-se que o sistema PbTe/Si(100) à funcional como detector para o infravermelho e suas caracterÃsticas sÃo aqui apresentadas e discutidas.

ASSUNTO(S)

epitaxia molecular detectores infravermelhos silÃcio dispositivos de heterojunÃÃo dispositivos semicondutores materiais

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