Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2

AUTOR(ES)

Scalvi, L. V. A., Pineiz, T. F., Pinheiro, M. A. L., Saeki, M. J., Briois, V.

FONTE

Cerâmica

DATA DE PUBLICAÇÃO

2011-09

RESUMO

Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura da região de depleção do contorno de grão, resultando em maior espalhamento de elétrons. Medidas de caracterização elétrica sob pressão ambiente levam à barreiras de potencial mais altas do que as medidas sob vácuo, devido a adsorção de oxigênio na superfície das partículas. A presença de Ce3+ aumenta a transmitância no infravermelho, o que significa menor quantidade de elétrons livres. Dados de XANES confirmam que o tratamento térmico a 550 ºC dos filmes, ainda que promova oxidação parcial para Ce4+, preserva uma quantidade significativa (em torno de 60%) no estado Ce3+. Espectroscopia Raman mostra a evolução dos modos de vibração intra-grãos de SnO2 com o aumento da temperatura de tratamento térmico.

ASSUNTO(S)

dióxido de estanho filmes finos cério terras-raras transporte elétrico

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