Emissão no visível de filmes finos, depositados via sol-gel, de SnO2 dopados com Er

AUTOR(ES)

Ravaro, L. P., Morais, E. A., Scalvi, L. V. A., Li, M. Siu

FONTE

Cerâmica

DATA DE PUBLICAÇÃO

2007-06

RESUMO

Foi obtida emissão de filmes finos de SnO2 dopados com Er no intervalo 500-700 nm, com pico em 530 nm (verde). Esses filmes foram depositados pela técnica de molhamento via sol-gel. A geração de pares elétron-buraco na matriz de SnO2 é usada para promover a excitação do íon terra-rara. A avaliação do tamanho dos cristalitos por meio de resultados de difração de raios X indica dimensões nanoscópicas, o que pode ser relevante para a interpretação do espectro de emissão. O mecanismo de excitação elétron-buraco é também responsável pela excitação da transição no intervalo que inclui 1540 nm em pós obtidos da mesma solução precursora dos filmes. Filmes finos constituem um formato muito útil para aplicações tecnológicas, desde que permite integração em dispositivos ópticos e a aplicação de campos elétricos para operar dispositivos eletroluminescentes.

ASSUNTO(S)

dióxido de estanho filmes finos sol-gel érbio

Documentos Relacionados

• "Incorporação de Er em SnO2 obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos"
• Er rare-earth ion incorporation in sol-gel SnO2
• Preparation and characterizations of thin films of SnO2:Sb by sol-gel process.
• Sb doping effects and oxygen adsorption in SnO2 thin films deposited via sol-gel
• Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2