Obtenção e caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxido e oxinitreto de silicio em sistema "home-made" de plasma remoto
AUTOR(ES)
Anna Paula da Silva Sotero
DATA DE PUBLICAÇÃO
1999
RESUMO
This work describes the formation and the characterization of thin and ultra-thin silicon oxide (SiO2) and oxynitride (SiOxNy) films formed by a home-made low temperature remote plasma system (RP). In this system, a 6O0W, 2.45GHz microwave generator, allows the formation of films by deposition (RPCVD) and oxidation (RPO) processes. The films were characterized by ellipsometry, profilometry, etching rate, transmission electronic microscopy (TEM), fourier transform infrared spectrometry (FTIR), x-ray photoeletron spectrometry (XPS), secondary ion mass spectrometry (SIMS), capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The films presented thicknesses ranging trom 3nm to 160nm, effective charge densities ranging ITom 1.7xlOlO/cm2to 2.5xlO12/cm2and dieletric breakdown fields of 18.3MV/cm...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations
ASSUNTO(S)
deposição quimica de vapor microondas filmes finos oxidação
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000199971Documentos Relacionados
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