Estudo de vacâncias e falhas de empilhamento em ZnO Wurtzita / Estudo de vacâncias e falhas de empilhamento em ZnO Wurtzita

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DATA DE PUBLICAÇÃO

2006

RESUMO

Utilizando cálculos ab initio na metodologia DFT e pseudo-potencial de norma conservada, estudamos as propriedades estruturais e eletrônicas do ZnO. Investigamos as energias de formação e a estrutura eletrônica de vacâncias no cristal de ZnO. Calculamos vacâncias de oxigênio e Zn como defeitos pontuais e falhas de empilhamento que são defeitos planares. O estudo dos defeitos é essencial para a compreensão do comportamento material e para a confecção de uma numerosa aplicabilidade tecnológica. Nosso trabalho aponta uma menor energia de formação de vacâncias de oxigênio. Para o pseudo-potencial do Zn incluímos os orbitais d na valência. Este procedimento torna o calculo computacional pesado contudo com resultados consideravelmente melhores. Utilizamos a Aproximação do Gradiente Generalizado (GGA) que teoricamente descreve melhor os parâmetros estruturais e a estrutura eletrônica. Nossos cálculos do parâmetro de rede e estruturas de bandas para o ZnO wurtzita dão bons resultados comparados com os experimentais. Não há ainda um estudo detalhado de Falhas de Empilhamento (FE) em ZnO. No presente trabalho mostramos um cálculo de energia de formação de uma Falha de Empilhamento em um bulk ZnO-Wurtzita com 108 átomos, realizado em uma Falha do tipo AaBbCcAaBb , incluindo as vacâncias neste bulk que contem a (FE). Nossos resultados indicam que tanto vacância de Zn como de O inseridas em um bulk com FE são mais estáveis que as mesmas vacâncias em um bulk sem FE.

ASSUNTO(S)

defeitos pontuais semicondutores stacking faults zinc oxide vacâncias fisica matéria condensada point defects falha de empilhamento Óxido de zinco cristais - defeitos vacancy

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