Defeitos Pontuais
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1. Estudo de propriedades de luminescência, de ressonância paramagnética eletrônica e de centros de cor da pumpelita e de sua correlação com defeitos pontuais. / Study of luminescence, electron paramagnetic resonance and color conters in pumpellyte and their correlation with point defeets
Cristais naturais de pumpelita Ca8Al8(Mg,Fe,Mn,Al)[(SiO4)4/(Si2O7)4/(OH)8(H2O, OH)4]), provenientes da mina de Brejui, município de Currais Novos, Rio Grande do Norte, foram investigados através das técnicas de termoluminescência (TL), absorção óptica (AO) e ressonância paramagnética eletrônica (EPR) com o intuito de entender os efeitos da radiaç�
Publicado em: 2010
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2. Contribuição da catodoluminescência para o entendimento da diagênese da formação Jandaíra: áreas do campo de petróleo da fazenda Belém e Lajedo do Rosário
O objetivo geral deste trabalho foi contribuir para a compreensão da evolução química dos fluidos percolantes através das rochas carbonáticas da Formação Jandaíra. As condições oxidantes e redutoras nas quais grãos, matriz e cimento foram formadas foi investigada usando a técnica da catodoluminescência (CL). A área de estudo localiza-se a oest
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/12/2009
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3. Espectroscopia infravermelha à baixa temperatura em quartzos e ametistas com altas concentrações de OH e H2O
O objetivo desse trabalho foi caracterizar os defeitos pontuais relacionados aos grupos OH e H2O em quartzos e ametistas, crescidos em cavidades do tipo geodo em basalto da Formação Serra Geral (RS), usando a espectroscopia infravermelha (IV) a -175°C. Em um dos cristais, os espectros foram realizados separadamente nos setores de crescimento r{10
Rem: Revista Escola de Minas. Publicado em: 2009-09
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4. Calculo da condutividade termica do Argônio solido puro e com defeito pontual / Calculation of thermal conductivity of solid argon with pure and defect-off
Neste trabalho, usando o metodo de Green-Kubo combinado com a Dinâmica Molecular (DM), calculamos a condutividade termica do Argônio solido "livre de defeitos"e com defeitos pontuais presentes, para um intervalo de temperatura variando de 10 a 60 K e uma densidade de 22,3 ml/mol. Os resultados obtidos estão em pleno acordo com os resultados teoricos e exp
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/03/2008
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5. Calculo da condutividade termica do Argônio solido puro e com defeito pontual / Calculation of thermal conductivity of solid argon with pure and defect-off
Neste trabalho, usando o metodo de Green-Kubo combinado com a Dinâmica Molecular (DM), calculamos a condutividade termica do Argônio solido "livre de defeitos"e com defeitos pontuais presentes, para um intervalo de temperatura variando de 10 a 60 K e uma densidade de 22,3 ml/mol. Os resultados obtidos estão em pleno acordo com os resultados teoricos e exp
Publicado em: 2008
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6. Study of thermoluminescence response of SolonÃpole (CE) quartz sensitized by heat treatments and high doses of gamma radiation / Estudo da sensibilizaÃÃo da resposta termoluminescente do quartzo de SolonÃpole (CE) por tratamentos tÃrmicos e altas doses de radiaÃÃo gama
A sensibilizaÃÃo da resposta termoluminescente (TL) do quartzo natural foi muito estudada visando a dataÃÃo arqueolÃgica e a dosimetria retrospectiva. Embora a curva de emissÃo TL do quartzo apresente vÃrios picos, apenas a sensibilizaÃÃo do pico que ocorre a aproximadamente 100ÂC foi investigada em profundidade. Trabalhos recentes mostraram que a
Publicado em: 2008
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7. Defeitos pontuais nos compostos intermetálicos ZrNi e Zr/sub 2/Ni estudados por dinâmica molecular
Empregamos a técnica de Dinâmica Molecular para estudar propriedades de defeitos pontuais nos compostos intermetálicos ZrNi e Zr2Ni. Descrevemos as configurações estáveis de defeitos e mecanismos de migração, assim como as energias envolvidas. Os potenciais interatômicos foram derivados do Embedded Atom Model. No intuito de levar em conta a variaç�
Publicado em: 2007
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8. Caracterização da implantação de Ne em Si (100)
Esta tese apresenta um estudo sistemático sobre a formação e evolução do sistema de bolhas, cavidades e defeitos gerados pela implantação de Ne em Si monocristalino. A implantação de gases inertes em Si tem sido explorada com o objetivo de modificar a microestrutura potencializando aplicações para aprisionamento de impurezas, corte preciso, relaxa
Publicado em: 2007
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9. Estudo de vacâncias e falhas de empilhamento em ZnO Wurtzita / Estudo de vacâncias e falhas de empilhamento em ZnO Wurtzita
Utilizando cálculos ab initio na metodologia DFT e pseudo-potencial de norma conservada, estudamos as propriedades estruturais e eletrônicas do ZnO. Investigamos as energias de formação e a estrutura eletrônica de vacâncias no cristal de ZnO. Calculamos vacâncias de oxigênio e Zn como defeitos pontuais e falhas de empilhamento que são defeitos plana
Publicado em: 2006
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10. Centros de cor, centros paramagnéticos e centros de luminescência dependentes de defeitos pontuais em zirconita / Color center, paramagnetic center and luminescence center due the defect point in zircon
In the present work the investigation of some properties of Thermoluminescence (TL), Electronic Paramagnetic Resonance (EPR) and Optical Absorption (OA) of two samples of zircon (of brown color) from Minas Gerais, but the unknown exact origin, were carried out. The glow curves of thermoluminescence emission have shown the presence of 4 TL peaks at 140, 215,
Publicado em: 2005
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11. Entropia vibracional em ligas metalicas
The thermodynamics properties of alloys are calculated employing the method of Adiabatic Switching in the Molecular Dynamics (MD) formalism. We study the application of the Adiabatic Switching to investigate order-disorder phenomena and point defects in Ni3Al. The MD simulations were performed using the Massive Nosé-Hoover Chain (MNHC) and Andersen dynamics
Publicado em: 1999
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12. Difusão de estanho e implantação ionica de magnesio em GaAs
Neste trabalho estudamos duas técnicas de dopagem em semicondutores: difusão e implantação iônica. Realizamos difusão de Estanho em Arseneto de Gálio utilizando como fonte de difusão um filme "Spin-on-Glass" (SOG) dopado, através de processamento térmico rápido. O filme SOG serve tanto de fonte como de proteção da superfície do GaAs contra a pe
Publicado em: 1993