Contribuição ao estudo do fenomeno de injeção de carga em chaves analogicas MOS

AUTOR(ES)

Edson Santos Acco

DATA DE PUBLICAÇÃO

1994

RESUMO

Este trabalho apresenta um estudo teórico-experimental sobre o fenômeno de injeção de carga, que ocorre em circuitos a capacitores chaveados durante a transição de abertura das chaves analógicas MOS. Inicialmente é feita uma análise teórica sobre esse fenômeno, abordando as estratégias reportadas até então, para minimizar o efeito de injeção de carga. Um estudo sobre a formação de cargas no canal do transistor MOS é apresentado. Comprovam-se, experimentalmente, as curvas teóricas que a literatura apresenta. É apresentada, tanibém, uma proposta para equiparticionar a injeção de carga que, entretanto, não pode ser caracterizada devido ao não funcionamento do CI implementado no PMUCMOS.5. Finalmente, apresenta-se um circuito experimental bastante consistente que corrige o erro causado pela injeçào de carga introduzida pela chave MOS.

ASSUNTO(S)

semicondutores de oxido metalico circuitos integrados circuitos eletronicos transistores

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