Caracterização estrutural de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe/Si(111) / Structural characterization of CdTe/Si(111) quantum dots and ultra-thin films

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

Neste trabalho, foi feita a caracterização estrutural e morfológica de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe crescidos sobre substrato de Si(111) passivado com hidrogênio. As amostras foram crescidas por epitaxia de paredes quentes e caracterizadas por microscopia de força atômica e difração de raios- especular e incidência rasante.As analises das imagens de microscopia de força atômica mostram a existência de ilhas isoladas de formato piramidal, mostrando que o crescimento segue o modo Volmer-Weber. As medidas de difração de raios-X, mostram que apesar do considerável descasamento do parâmetro de rede (19%) as ilhas crescem epitaxialmente, seguindo a direção cristalográfica [111] do substrato de silício. A analise cuidadosa das medidas de difração com incidência rasante permite determinar as dimensões lateral e vertical dos pontos quânticos e a observar existência de uma pequena quantidade de pontos quânticos girados de 30 no plano de crescimento.

ASSUNTO(S)

x-ray gid teruleto de cádmio fisica da materia condensada raio x pontos quânticos quantum dots gid

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