Simulation of ionic resistivity of ultra-thin passivating films on metals during their galvanostatic transient growth

AUTOR(ES)
FONTE

Journal of the Brazilian Chemical Society

DATA DE PUBLICAÇÃO

2002-08

RESUMO

Para o caso de crescimentos transientes de filmes de passivação em condições galvanostáticas foram formuladas e resolvidas, por método numérico, equações diferenciais descrevendo a variação das concentrações de defeitos em filmes ultra-finos. Nas equações levou-se em conta a injeção de defeitos, a recombinação de alguns destes e o aumento na espessura do filme. Nos resultados das simulações as concentrações passam por um máximo durante o crescimento, com este máximo aumentando com a corrente e tornando-se independente da mesma para altos valores desta. Para que se obtenham valores razoáveis da concentração de defeitos nos filmes, o trabalho mostra que nem toda a corrente deve ser utilizada para a geração de defeitos. Nessas condições, os cálculos mostram que a resistividade iônica específica nos filmes passa por um mínimo com o aumento de sua espessura e o sobrepotencial neles varia quase linearmente com a mesma. A análise dos transientes leva à idéia de que a constante de velocidade de recombinação de defeitos poderia depender da densidade de corrente utilizada. Todos estes dados são analisados e discutidos do ponto de vista físico.

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