Simulation of ionic resistivity of ultra-thin passivating films on metals during their galvanostatic transient growth
AUTOR(ES)
D'Alkaine, Carlos V., Tulio, Paulo C., Brito, Gilberto A. O., Salvador, José A.
FONTE
Journal of the Brazilian Chemical Society
DATA DE PUBLICAÇÃO
2002-08
RESUMO
Para o caso de crescimentos transientes de filmes de passivação em condições galvanostáticas foram formuladas e resolvidas, por método numérico, equações diferenciais descrevendo a variação das concentrações de defeitos em filmes ultra-finos. Nas equações levou-se em conta a injeção de defeitos, a recombinação de alguns destes e o aumento na espessura do filme. Nos resultados das simulações as concentrações passam por um máximo durante o crescimento, com este máximo aumentando com a corrente e tornando-se independente da mesma para altos valores desta. Para que se obtenham valores razoáveis da concentração de defeitos nos filmes, o trabalho mostra que nem toda a corrente deve ser utilizada para a geração de defeitos. Nessas condições, os cálculos mostram que a resistividade iônica específica nos filmes passa por um mínimo com o aumento de sua espessura e o sobrepotencial neles varia quase linearmente com a mesma. A análise dos transientes leva à idéia de que a constante de velocidade de recombinação de defeitos poderia depender da densidade de corrente utilizada. Todos estes dados são analisados e discutidos do ponto de vista físico.
Documentos Relacionados
- ELECTRON MICROSCOPY OF ULTRA-THIN SECTIONS OF BACTERIA I. : Cellular Division in Bacillus cereus
- ELECTRON MICROSCOPY OF ULTRA-THIN SECTIONS OF BACTERIA: II. Sporulation of Bacillus megaterium and Bacillus cereus
- Caracterização estrutural de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe/Si(111)
- Structure, morphology and magnetism of an ultra-thin [NiO/CoO]/PtCo bilayer with perpendicular exchange bias
- Estudo de gradientes térmicos e deformações em "whitetopping" ultradelgado.