Análise por feixes de íons de filmes finos dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente
AUTOR(ES)
Stedile, Fernanda Chiarello
DATA DE PUBLICAÇÃO
2007
RESUMO
Esta tese trata de filmes finos de materiais dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente que são analisados por métodos de feixes de íons. Como introdução aos nossos trabalhos, são abordados os princípios da deposição por sputtering com corrente contínua, com rádio-freqüências e em atmosferas reativas. Além disso, são apresentados os princípios de crescimento térmico em fornos clássicos e em fornos de tratamento térmico rápido. Também são descritos em detalhe os métodos análiticos de espectropia de retroespalhamento Rutheford e reações nucleares ressonantes e não-ressonantes para medir as quantidades totais e os perfis de concentração em função da profundidade dos vários isótopos utilizados, bem como o método de difração de raios-X. No que concerne à deposição por sputtering reativo de filmes finos de nitreto de silicio, nitreto de alumínio e nitreto duplo de titânio e alumínio, são estudados os processos de deposição, são caracterizados os filmes desses materiais e são estabelecidas correlações entre características dos filmes e os parâmetros de deposição. Quanto ao crescimento térmico em atmosferas reativas de filmes muito finos de óxido, nitreto e oxinitreto de sílicio, são apresentados modelos para o crescimento dos filmes de óxido de sílicio, é estudada a influência da limpeza do substrato de sílicio nos mecanismos de crescimento dos filmes de óxido de sílicio e são elucidados aspectos dos mecanismos de nitretação térmica do sílicio e de filmes de óxido de sílicio.
ASSUNTO(S)
fisica da materia condensada filmes finos dieletricos sputtering filmes finos química : materiais
ACESSO AO ARTIGO
http://hdl.handle.net/10183/1832Documentos Relacionados
- Filmes finos de óxidos de vanádio depositados por sputtering reativo
- Propriedades supercondutoras de filmes finos de Nb depositados por magnetron sputtering
- Estudo de filmes finos de TiOx crescidos por sputtering para aplicações fotoeletroquimicas
- Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão e microanálise com raios-x de filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício
- Propriedades optico-estruturais de filmes de a-Ge:H crescidos por Sputtering assistido por feixe de ions