Analise dos principais parametros e projeto de uma celula de um transitor DMOS vertical de potencia

AUTOR(ES)

Jose Francisco Vieira Nogueira

DATA DE PUBLICAÇÃO

1994

RESUMO

Os principais parâmetros de uma célula de um transistor VDMOS de potência são: a tensão de transição, a tensão de ruptura, a resistência de condução e as capacitâncias parasitárias que surgem na estrutura. Apresenta-se a conceituação teórica destes parâmetros, bem como modos de otimizar seus valores. Desta forma, um modelo tridimensional para a difusão térmica é discutido e outros fenômenos que influenciam tal difusão são analisados. Técnicas de terminação de junções são ilustradas. Finalmente é apresentado um procedimento de projeto e sua otimização

ASSUNTO(S)

transistores de potencia

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