Transistores De Potencia
Mostrando 1-12 de 32 artigos, teses e dissertações.
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1. Active inductor based fully integrated CMOS transmit/ receive switch for 2.4 GHz RF transceiver
Não se pode imaginar transmissões modernas por radiofrequência (RF) sem o uso de um comutador T/R (Transmit/Receive switch) de alto desempenho. As opções para estes dispositivos ora disponíveis podem ser penalizadas pelo compromisso de escolha entre os parâmetros para avaliação de desempenho, onde um alto isolamento e baixa perda por inserção do d
An. Acad. Bras. Ciênc.. Publicado em: 31/05/2016
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2. Caracterização elétrica de filmes finos de telureto com nanopartículas de ouro depositados pela técnica sputtering. / Electrical characterization of tellurite thin films containing gold nanoparticles deposited by sputtering technique.
Este trabalho tem como objetivo a produção e caracterização elétrica de filmes finos de telureto com nanopartículas de ouro para aplicações em microeletrônica. Filmes finos foram produzidos por magnetron sputtering a partir de alvos de telureto cerâmico e de ouro metálico. Foi desenvolvida metodologia adequada para a nucleação das nanopartícula
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/02/2012
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3. Dimensionamento de portas lógicas usando programação geométrica / Gate sizing using geometric programming
Neste trabalho é desenvolvida uma ferramenta de dimensionamento de portas lógicas para circuitos integrados, utilizando técnicas de otimização de problemas baseadas em Programação Geométrica (PG). Para dimensionar as portas lógicas de um circuito, primeiramente elas são modeladas usando o modelo de chaves RC e o atraso é calculado usando o modelo
Publicado em: 2011
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4. Circuito de comando de base proporcional isolado auto-oscilante para conversor CC/CC "Half-Bridge": uma metodologia de projeto / Isolated proportional base driver for half-bridge DC/DC converter: a design methodology
O presente trabalho apresenta o estudo, o equacionamento, a simulação e uma metodologia de projeto para um conversor CC/CC do tipo Half-Bridge, com transformador de potência alimentado por transistores bipolares em semi-ponte, com circuito de acionamento de base proporcional isolado. O circuito possui um controle de sincronismo aplicado ao transformador d
Publicado em: 2010
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5. Technology mapping for virtual libraries based on cells with minimal transistor stacks / Mapeamento tecnológico para bibliotecas virtuais baseado em células com cadeias mínimas de transistores em série
Atualmente, as tecnologias disponíveis para a fabricação de dispositivos eletrônicos permitem um alto grau de integração de semicondutores. Entretanto, esta integração torna o projeto, a verificação e o teste de circuitos integrados mais difíceis. Normalmente, o projeto de circuitos integrados é consideravelmente afetado com a diminuição do tam
Publicado em: 2009
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6. Transistor level automatic generation of radiation-hardened circuits / Geração automática de circuitos tolerantes a radiação no nível de transistores
Tecnologias submicrônicas (DSM) têm inserido novos desafios ao projeto de circuitos devido a redução de geometrias, redução na tensão de alimentação, aumento da freqüência e aumento da densidade de lógica. Estas características reduzem significativamente a confiabilidade dos circuitos integrados devido a suscetibilidade a efeitos como crosstalk
Publicado em: 2009
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7. Uma fonte chaveada de 50kW com correção de fator de potência para alimentação de uma tocha de plasma Indutiva utilizando técnicas de controle digital
O presente trabalho trata do desenvolvimento de um estudo experimental sobre uma fonte de alimentação de alta freqüência que alimentará a tocha plásmica a ser implementada no projeto PLASPETRO, o qual consta de dois conversores estáticos desenvolvidos com o uso de transistores - Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). Os drivers utilizados no contro
Publicado em: 2009
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8. Geração automática de partes operativas de circuitos VLSI / Automatic generation of datapaths for VLSI circuits
Tanto nos circuitos integrados para processamento de sinais digitais quanto em microprocessadores, a parte operativa é o núcleo onde a computação dos dados é realizada. A geração deste bloco costuma ser crítica para o desempenho global dos dispositivos. Ferramentas específicas para a geração de parte operativa costumam tirar proveito da regularida
Publicado em: 2009
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9. Leakage current modeling in sub-micrometer CMOS complex gates / Modelagem de corrente de fugas em portas lógicas CMOS submicrométricas
Para manter o desempenho a uma tensão de alimentação reduzida, a tensão de threshold e as dimensões dos transistores têm sido reduzidas por décadas. A miniaturização do transistor para tecnologias sub-100nm resulta em um expressivo incremento nas correntes de fuga, tornando-as parte significativa da potencia total, alcançando em muitos casos 30-50%
Publicado em: 2008
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10. Lógica quaternária de alto desempenho e baixo consumo para circuitos VLSI / Low-power high-performance quaternary for VLSI circuits
Desde a década de 60, o aprimoramento das técnicas de fabricação de circuitos integrados que usam lógica binária tem levado ao aumento exponencial na densidade de dispositivos, melhoria do desempenho, redução da energia consumida e redução dos custos de fabricação dos circuitos integrados no estado da arte. Esse avanço tem sido alcançado histor
Publicado em: 2008
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11. Estudo e implementação de somador com detecção de fim de cálculo para circuitos assíncronos / Study and implementation of adders with completion detection targeted to asynchronous circuits design
É contínua a procura por técnicas de construção de circuitos que ajudem a minimizar os problemas existentes no mercado de microeletrônica atual. Uma alternativa para a resolução destes problemas consiste na utilização de circuitos assíncronos. Circuitos aritméticos são alvo de um contínuo esforço na busca de melhores resultados de desempenho e
Publicado em: 2008
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12. Uma nova família de conversores com comutação ZCS na abertura e fechamento das chaves
Este trabalho apresenta uma nova célula de comutação não dissipativa com aplicação estendida a qualquer topologia tradicional de conversores CC-CC através da substituição da célula PWM dessas estruturas. A célula proposta consiste de uma chave principal e duas auxiliares, sendo que todas as chaves operam em ZCS na entrada em condução e ZCS na sa
Publicado em: 2008