Acoplamento -X em heteroestruturas semicondutoras
AUTOR(ES)
Ximenes Rocha Resende
DATA DE PUBLICAÇÃO
1995
RESUMO
Neste trabalho, estendemos o formalismo de Massa Efetiva e Função Envelope aplicado ao cálculo de heteroestruturas para incluir acoplamento entre vales de pontos distintos da zona de Brillouin. Em particular , estudamos a simetria do acoplamento G -X e aplicamos o formalismo desenvolvido ao problema de Excitons confinados em poços quânticos G -X acoplados. analisamos a transição sistema direto/sistema indireto mediada por um campo elétrico externo e calculamos, em função deste campo, alguns parâmetros que são importantes para a dinâmica excitônica neste materiais: massa efetiva perpendicular à interface, dispersão de estados, força de oscilador
ASSUNTO(S)
semicondutores estrutura eletronica teoria dos excitons
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000101185Documentos Relacionados
- Inter-subband spin-orbit coupling in semiconductor heterostructures
- Investigação de interfaces em heteroestruturas semicondutoras
- Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge
- Propriedades de impurezas rasas em semicondutores e heteroestruturas semicondutoras
- Propriedades de transporte de spins polarizados em heteroestruturas semicondutoras