Teoria Dos Excitons
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1. Efeito Aharonov-Bohm em partículas neutras
Em Física clássica, o movimento de uma partícula carregada só é afetado pela presença de um campo magnético se a partícula entrar em uma região do espaço na qual o campo está presente. Ao mesmo tempo, em Física quântica, a partícula contendo carga elétrica pode ser afetada por um potencial eletromagnético ~ A, mesmo em regiões onde o campo m
Publicado em: 2011
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2. Cálculo e determinação experimental da energia de ligação excitônica em poços quânticos simples e duplos de AlGaAs/GaAs
Este trabalho objetiva o cálculo e a determinação experimental da energia de ligação excitônica em poços quânticos simples e duplos. Foram estudadas duas amostras, as quais possuem, no total, um poço quântico simples e três poços quânticos duplos de Al0.25Ga0.75As/GaAs com diferentes espessuras de barreira central. Nos poços duplos, o material
Publicado em: 2008
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3. Sistemas Nanoestruturados: Heteroestruturas Quasi-Periódicas de Nitretos e Cálculos Ab initio em Polimorfos CaCO3 / Sistemas Nanoestruturados: Heteroestruturas Quasi-Periódicas de Nitretos e Cálculos Ab initio em Polimorfos CaCO3
As propriedades físicas e o espectro de excitações em materiais óxidos e semicondutores são apresentados neste trabalho, composto primeiramente por um estudo sobre o confinamento de fonons ópticos em sistemas artificiais baseados em nitretos III-V, crescidos periodicamente e quasi-periodicamente. A segunda parte deste trabalho descreve cálculos de pri
Publicado em: 2007
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4. Propriedades de pontos quanticos de InP/GaAs / Structural and optical properties of InP/GaAs type II quantum dots
Neste trabalho estudamos as propriedade estruturais e ópticas de pontos quânticos auto-organizados de InP crescidos sobre o substrato de GaAs. Esta estrutura apresenta o alinhamento de bandas tipo-II na interface, confinando o elétron no ponto quântico, enquanto o buraco mantém-se na barreira, próximo à interface devido à interação coulombiana atra
Publicado em: 2006
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5. Influencia de uma pressão biaxial externa nas propriedades opticas de poços quanticos de GaAs/AlGaAs
Estudamos a influência de uma pressão biaxial externa sobre a estrutura de banda de poços quânticos de GaAs / AlGaAs por medidas ópticas. A aplicação de uma pressão externa é uma técnica bastante útil no estudo de efeitos da mistura das bandas em heteroestruturas, principalmente da banda de valência. A sua grande vantagem é de ter controle exter
Publicado em: 2004
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6. Influência das interfaces sobre as propriedades óticas de poços quânticos de Galnp/GaAs
Not informed
Publicado em: 2002
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7. Estados eletronicos e absorção optica em semicondutores de baixa dimensionalidade
In this work we study the combined effect of the electron-electron interaction and the valence-hole mobility on the electronic states and optical absorption in low dimensional electron doped semiconducting systems. We model two different systems : i) self-assembled quantum dots, and ii) two-dimensional systems. In the first case we calculate the optical abso
Publicado em: 2000
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8. Dinamica excitonica em poços quanticos de semicondutores
O objetivo principal do nosso trabalho é estudar o processo de formação de éxcitons em poços quânticos de semicondutores. Iniciamos esta dissertação com uma discussão dos diferentes processos de espalhamento, dentre eles a formação de éxcitons, envolvidos quando um semicondutor é excitado por um pulso de laser ultracurto. Em seguida, apresentamo
Publicado em: 1999
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9. Propriedades opticas de excitons e aceitadores de Be confinados em multiplos poços quanticos de GaAs/Ga0.7Al0.3As
Neste trabalho estudamos as propriedades ópticas de excitons e de aceitadores de Be, confinados num sistema de múltiplos poços quânticos de GaAS/Ga0.7AlO.3As, usando as técnicas de fotoluminescência e fotoluminescência de excitação. Observamos a emissão relacionada aos excitons ligados os quais acreditamos estar ligados a defeitos ionizados localiz
Publicado em: 1996
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10. Acoplamento -X em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho, estendemos o formalismo de Massa Efetiva e Função Envelope aplicado ao cálculo de heteroestruturas para incluir acoplamento entre vales de pontos distintos da zona de Brillouin. Em particular , estudamos a simetria do acoplamento G -X e aplicamos o formalismo desenvolvido ao problema de Excitons confinados em poços quânticos G -X acoplad
Publicado em: 1995
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11. Polarons and excitons in charge-transfer systems
Not informed
Publicado em: 1990
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12. Caracterização otica de epitaxia MBE do GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn
Foram feitas medidas de fotoluminescência em regime de baixo nível de excitação ótica e baixas temperaturas (<2K). Os objetivos deste trabalho foram a caracterização e o estudo de algumas amostras de Arseneto de Gálio(GaAs), crescidas por Epitaxia por Feixe Molecular(MBE) não dopadas, e outras crescidas por Epitaxia de Fase Líquida(LPE) dopadas com
Publicado em: 1988