Investigação de interfaces em heteroestruturas semicondutoras
AUTOR(ES)
Maria Valeria Marquezini
DATA DE PUBLICAÇÃO
1995
RESUMO
Este trabalho foi centrado no estudo das propriedades ópticas de heteroestruturas quânticas com características especiais relativas às rugosidades das interfaces. Estas estruturas apresentam "ilhas", obtidas a partir de poços quânticos (QWs) de InAs/lnP e "fios quânticos" (QWWs), obtidos a partir de poços de InGaAsP/lnP. As técnicas experimentais utilizadas foram fotoluminescência (PL), fotoluminescência de excitação (PLE) , magneto-óptica (MO) e fotoluminescência resolvida no tempo (PLRT). Estudamos amostras de InAs/lnP combinando informação de PL, PLE, PLRT e MO. Investigamos a dinâmica de excitons nas ilhas de InAs com uma análise via equações de taxa. Mostramos evidências de i) localização de excitons a baixas temperaturas devido a flutuações locais de potencial geradas por rugosidades das interfaces; ii) ativação térmica de excitons livres e iii) transferência parcial dos excitons livres para ilhas de maior espessura. Estudamos amostras de InGaAsP, cuja estrutura apresenta um poço quântico com espessura modulada, empregando as técnicas de PL e MO. O espectro de PL apresenta duas linhas de emissão, sendo a de maior energia atribuída a um estado estendido, tipo QW, e a de menor energia atribuída a um estado localizado na região mais espessa, tipo QWW. O confinamento lateral na região mais espessa foi investigado analisando a anisotropia dos desvios diamagnéticos apresentados pelas diferentes bandas de PL. Estes estudos mostram fortes evidências de confinamento lateral do estado fundamental da estrutura
ASSUNTO(S)
poços quanticos fotoluminescencia semicondutores
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000097611Documentos Relacionados
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