Arsenieto De Galio
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1. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs / Interface effect on the optical properties of InP/GaAs quantum dots
We studied the effect of different interface conditions on the optical properties of InP/GaAs self-assembled quantum dots grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. InP/GaAs quantum dots is expected to present type II band alignment, and only electrons are confined, whereas the holes are localized in the GaAs layers around the quantum do
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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2. Influência do laser ingaalp (660nm) na cicatrização de feridas cutâneas em ratos diabéticos
OBJETIVO: Determinar a influência do diodo laser InGaAlP (660 nm) sobre o percentual de colágeno e macrófagos em feridas cutâneas de ratos diabéticos. MÉTODOS: Para tanto 30 ratos machos Wistar foram distribuídos em dois grupos: diabético tratado com laser (n=15), diabético não tratado (n = 15). O diabetes foi induzido por injeção intravenosa de
Acta Cirurgica Brasileira. Publicado em: 2010-02
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3. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010
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4. Efeito da terapia com laser de arsenieto de gálio e alumínio (660Nm) sobre a recuperação do nervo ciático de ratos após lesão por neurotmese seguida de anastomose epineural: análise funcional
CONTEXTUALIZAÇÃO: As lesões nervosas periféricas podem comprometer atividades diárias de um indivíduo e resultam em perda da sensibilidade e motricidade do território inervado. OBJETIVO: Com o intuito de acelerar os processos regenerativos, objetivou-se analisar a influência da aplicação do laser de arsenieto de gálio e alumínio (AsGaAl, 660Nm) s
Brazilian Journal of Physical Therapy. Publicado em: 2008-06
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5. Estudo da dinâmica de crescimento de nanofios autosustentados do grupo III-V sobre substratos GaAs(100) e GaAs(111)B a partir de técnicas correlatas e epitaxia por feixes moleculares
Neste trabalho, apresenta-se o estado da arte sobre o mecanismo de formação de nanofios semicondutores autosustentados, crescidos a partir de elementos da tabela periódica dos grupos III e V pela técnica de MBE. No primeiro capítulo, apresenta-se uma breve resenha das técnicas experimentais de crescimento de nanofios utilizadas. O segundo capítulo con
Publicado em: 2008
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6. Influência do laser de baixa potência (GaAlAs) na remodelação óssea, após a disjunção da sutura palatina mediana em ratos Wistar / Influence of low level laser (GaAlAs) on bone remodeling after midpalatal suture expansion in Wistar rate
O propósito deste estudo foi analisar o comportamento do osso alveolar na remodelação óssea sob carga fisiológica e ortopédica após a disjunção rápida da sutura palatina mediana durante 14 dias, com e sem aplicação de laser de baixa potência e comparar imagens obtidas por técnica radiográfica convencional com microtomografias computadorizadas.
Publicado em: 2008
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7. O uso do laser de arsenieto de gálio (AS-GA) no processo de reparação muscular do rato
In the area of the Phisicalterapy, we search to evaluate and to rehabilitate diverse types of affections, amongst them the muscular injuries that are perhaps studied. The used resources to promote the process of repairing of these injuries are diverse, being distinguished it use of the LASER of low power. Its reparations effect already are recognized in some
Publicado em: 2008
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8. Achados microscópicos no tecido ósseo relacionados à utilização do laser diodo (830etam) em mandíbulas de ovelhas submetidas à distração osteogênica
OBJETIVO: Avaliar as características microscópicas do efeito do laser diodo de Arsenieto de Gálio-Alumínio (AsGaAl - 830etam), aplicado no período de ativação e consolidação de mandíbulas de ovelhas submetidas a distração osteogênica. MÉTODOS: Dezoito ovinos foram submetidos a procedimento cirúrgico para colocação de distrator ósseo em regi
Acta Cirurgica Brasileira. Publicado em: 2007-04
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9. Laser de baixa potência no tratamento das disfunções têmporo-mandibulares :um ensaio clínico randomizado
As disfunções têmporo-mandibulares (DTM) compreendem alterações músculo-esqueléticas de origem multifatorial, envolvendo aspectos físicos, psicológicos e sociais. Estas condições têm potencial para comprometer o conforto e a saúde funcional dos componentes do sistema estomatognático e várias modalidades terapêuticas têm sido propostas. O obj
Publicado em: 2006
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10. Efeitos da irradiação por laser de baixa potencia sobre a patogenese das alterações mionecroticas induzidas pelo veneno bruto de Bothrops moojeni / Effects of low-power laser irradiation on the pathogenesis of myonecrotic alterations induced by Bothrops moojeni snake venom
O estudo de substâncias naturais visa não só a caracterização dos seus princípios ativos e efeitos biológicos, mas também a compreensão de fenômenos patofisiológicos que muitas vezes são reproduzidos experimentalmente por essas substâncias. Dentre estas, nos países de clima tropical, os venenos ofídicos merecem importância particular pela riq
Publicado em: 2006
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11. Influência do laser a diodo de arsenieto de gálio (As-Ga) na reparação do defeito osteocondral experimental da cabeça umeral de cães: aspectos clínicos e anatomohistopatológicos / The influence of Gallium Arsenate (Ga-As) Diodo Laser on the repairing of an osteochondral experimental defect on humeral heads of dogs. Clinical and anatomohistopathological aspects
O objetivo deste estudo foi avaliar a influência do laser a diodo de Arsenieto de Gálio (As-Ga) no processo de reparação da superfície articular da cabeça umeral de cães após osteocondroplastia experimental. Foram utilizados 32 cães adultos, distribuídos aleatoriamente em dois grupos experimentais: Grupo Controle (GC, n = 16) e Grupo Tratado (GT, n
Publicado em: 2004
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12. Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico
In this work we present a study on residual and intentional dopant elements, on ordering and on interfaces of InGaP lattice matched with GaAs. The goal of this study is to obtain semiconductor devices using this material. We have found that Carbon is the main residual dopant. It is incorporated as donor and as acceptor, the ratio between these two incorporat
Publicado em: 2003