Transistores
Mostrando 13-24 de 196 artigos, teses e dissertações.
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13. Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica
Esta dissertação trata do projeto e avaliação de um novo circuito sensor de corrente com célula de memória dinâmica para a detecção de correntes transientes em circuitos integrados CMOS, provocadas pela incidência de partículas ionizantes. As propostas previamente existentes na literatura são avaliadas e suas deficiências são apontadas. É apre
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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14. Aging aware design techniques and CMOS gate degradation estimative / Técnicas de projeto considerando envelhecimento e estimativa da degradação em portas lógicas CMOS
O advento da utilização de circuitos integrados pela sociedade se deu por dois motivos. O primeiro consiste na miniaturização das dimensões dos dispositivos integrados. Essa miniaturização permitiu a construção de dispositivos menores, mais rápidos e que consomem menos frequência. O outro fator é a utilização da metodologia baseada em bibliotec
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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15. Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs / Nano-transistores de porta dupla em silício sobre isolante simulação de FinFETs sub-20nm
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como ¿SOI-FinFET¿. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante ¿ ¿Silicon-on- Insulator¿, SOI ¿ com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutu
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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16. Impacto dos desvios de tensão de limiar induzidos por radiação ionizante no desempenho dos blocos básicos de dois amplificadores operacionais complementares
Este trabalho estuda os efeitos de dose total ionizante (TID ¿ Total Ionizing Dose) em amplificadores operacionais e em seus blocos básicos de construção. A radiação ionizante presente no espaço pode afetar o funcionamento das estruturas MOS, sendo que um dos parâmetros mais prejudicados é a tensão de limiar (Threshold Voltage). Em virtude da difer
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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17. Dinâmica concorrencial e inovação em atividades de alta tecnologia: uma análise das indústrias de equipamentos de informática e semicondutores
Este artigo descreve e analisa a dinâmica concorrencial e inovativa da indústria de equipamentos de informática e do setor de semicondutores. Para tal, procura mostrar como o paradigma tecnológico que caracteriza estas indústrias é um determinante fundamental para explicar o comportamento dos agentes e as trajetórias tecnológicas dos setores. Ao se a
Gest. Prod.. Publicado em: 2012
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18. Simulação de transistores spintrônicos, materiais semicondutores e pontos quânticos
Justificadamente, o século XX poderia ser qualificado como o século da Eletrônica. Em 50 anos, os dispositivos eletrônicos revolucionaram a sociedade, incluindo desde os brinquedos eletrônicos e os eletrodomésticos, até os gigantescos supercomputadores usados em previsões climáticas. Toda esta revolução ocorreu à sombra de uma técnica para torna
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/12/2011
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19. Projeto de amplificadores com realimentação em corrente utilizando tecnologia 0,35 µm CMOS / Current-Feedback Amplifiers Design using 0,35 µm CMOS Technologie
Este trabalho apresenta o estudo aprofundado e a confecção de amplificadores realimentados por corrente (CFA). São analisadas as principais características de um CFA e comparado com o amplificador realimentado por tensão (VOA). Buscou-se esclarecer as aplicações nas quais a primeira célula apresenta-se como melhor alternativa e como importante ferram
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 12/12/2011
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20. Sensores e biossensores baseados em transistores de efeito de campo utilizando filmes automontados nanoestruturados / Sensors and biosensors based on field-effect transistors using nanostructured self-assembled films
Separative extended gate field-effect transistor (SEGFET) device is an alternative to the conventional ion-sensitive field-effect transistor (ISFET). The great advantage of SEGFET refers to its easy processing, i.e., it is limited under only manipulation of the gate electrode, avoiding the conventional microelectronic processes. In this way, ion sensors and
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/11/2011
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21. Aglomerados de pentaceno e nanotubos de carbono: um estudo MM/MQ (mecânica molecular/mecânica quântica) / Pentacene and carbon nantubes clusters: A MM/MQ (molecular mechanics/quantum mechanics) study
Nanotubos de carbono e polímeros condutores são fortes candidatos à miniaturização dos componentes eletrônicos disponíveis atualmente. Estudos teóricos afirmaram que 1/3 dos nanotubos seriam metálicos, enquanto que os outros seriam semicondutores, mas alguns grupos reportaram medidas experimentais evidenciando um pequeno gap eletrônico em tubos con
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/09/2011
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22. AnÃis quÃnticos semicondutores ideais / Ideal semiconductor quantum rings
Nos Ãltimos anos, numerosos avanÃos alcanÃados nas tÃcnicas de crescimento de materiais deram origem à formaÃÃo de vÃrias heteroestruturas de semicondutores, onde se podem confinar elÃtrons e buracos em uma ou mais direÃÃes, atravÃs de barreiras de potencial. Muitos pesquisadores recentemente tÃm estudado estruturas de baixas dimensionalidades,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 08/08/2011
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23. Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. / Influence of Selective Epitaxial Growth (SEG) in strained SOI triple gate N transistors.
Este trabalho apresenta um estudo da influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em dispositivos tensionados mecanicamente (strain) em transistores SOI MuGFET de porta tripla. Com a evolução da tecnologia de integração de transistores, alguns efeitos parasitários são eliminados ou diminuídos, porém outros novos surgem. A tecnologia SOI MuGFET
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/05/2011
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24. Montagem da técnica Photo-CELIV para obtenção de parâmetros de condução em filmes finos de polímeros eletrônicos / CELIV technique assembly for conduction parameters obtainment in electronic thin films polymers
A eletrônica orgânica, isto é, aquela baseada em compostos orgânicos principalmente por átomos de Carbono, Hidrogênio, Nitrogênio, etc., vem mostrado um notável desenvolvimento nos últimos anos, pois tem aberto novas aplicações e novos mercados na área da eletrônica. Displays flexíveis e de alta resolução feitos a partir de polímeros conjuga
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 12/05/2011