Sensor de corrente transiente para detecção do SET com célula de memória dinâmica

AUTOR(ES)
FONTE

IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia

DATA DE PUBLICAÇÃO

2012

RESUMO

Esta dissertação trata do projeto e avaliação de um novo circuito sensor de corrente com célula de memória dinâmica para a detecção de correntes transientes em circuitos integrados CMOS, provocadas pela incidência de partículas ionizantes. As propostas previamente existentes na literatura são avaliadas e suas deficiências são apontadas. É apresentada a topologia e o modo de funcionamento do novo circuito, juntamente com o detalhamento do projeto das versões destinadas à monitoração dos transistores PMOS e NMOS. É apresentado o layout do circuito final em tecnologia 130 nm, destinado à prototipação pelo programa MOSIS, contendo os sensores, os transistores-alvo, os estágios de saída e os circuitos de proteção contra os efeitos da eletricidade estática necessários. Os resultados obtidos através de simulação mostram que o novo circuito proporciona uma redução na área de silício necessária para a implementação, bem como um menor consumo de corrente quiescente em relação às propostas anteriores.

ASSUNTO(S)

circuitos integrados electrical engineering microelectronics microeletronica sensores cmos transient event detection ionizing particles current sensor dynamic storage

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